顯影工藝是指用顯影液去除晶圓上部分光刻膠，形成三維的物理圖形。
基本介紹
- 中文名：顯影工藝
- 外文名：development process
將顯影液塗覆在曝光後的晶圓表面上，正膠的曝光區域和負采全鞏棵膠的非曝光區域肯束抹溶於顯乃鑽籃慨影液中，進一步將反應聚合物和顯影液殘留沖洗後，就可以顯現出光刻膠中的圖形，如圖1所示。儘管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。用負顯影工藝可以實現較窄的溝槽，負顯影工藝已經被糠勸殼廣泛用於20納米及以下技術節點的量產中。
圖 1 曝光與顯影工藝過程顯影工藝一般步驟如下：
圖2 顯影工藝步驟1.預噴淋（pre-wet）：嫌甩為了提高后面顯影液在矽片表面的附著性能，先在矽片表面噴上一點去離子水（Deionizedwater，DIW）。
2.顯影噴淋（developer dispense）：在矽片表面塗覆顯影液。為了將顯影液均勻地塗覆到矽片表面上，顯影噴嘴分為以下幾種：E2噴嘴，LD噴嘴，GP噴嘴，MGP噴嘴等。
3.顯影液表面停留（puddle）：為了讓顯影液與光刻膠進行充分反應，顯影液噴淋後需要在矽片表面停留一般為幾十秒到一兩分鐘。
4.顯影液去除並且清洗（rinse）：達到顯影時間後，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓旋轉產生的離心力也對去除表面顆粒有很洪祖整大的幫助。圖1.13是一個典型的去離子水沖付頸灑洗工藝。
5. 甩乾（spin dry）：為了將表面的去離子水甩乾，將矽片轉到高轉速。
