顯影曲線

顯影曲線是指積體電路製造工藝中光致抗蝕劑曝光靈敏度和對比度的實驗曲線。

基本介紹

• 中文名：顯影曲線
• 外文名：development graph

通過改變曝光劑量，在一定的顯影條件下，通過實驗抗蝕劑厚度得的變化值繪製成的曝光劑量-抗蝕劑厚度的變化曲線被叫做顯影曲線。

正性抗蝕劑的顯影曲線顯示隨著曝光劑量的增加，顯影后的曝光區域的抗蝕劑厚度逐漸減薄，在曝光劑量達到一定程度時，抗蝕劑厚度成一定的斜率加快減薄，直到抗蝕劑完全被去除，此時的曝光劑量定義為正性抗蝕劑的曝光靈敏度。負性抗蝕劑的顯影曲線顯示沒有曝光的區域抗蝕劑完全被顯影液溶劑溶解，曝光區域隨著曝光劑量增加，顯影后的曝光區域留下的抗蝕劑厚度逐漸增加，在曝光劑量達到一定程度時，抗蝕劑厚度成一定的斜率加快增厚，逐漸達到飽和的厚度。負性抗蝕劑的曝光靈敏度定義為顯影后有50%以上的抗蝕劑厚度得以保留所需要的曝光劑量。