基本介紹
- 中文名:光刻膠顯影
- 外文名:resist develop
用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域稱為光刻膠顯影。 [1] 中文名 光刻膠顯影 外文名 resist develop 光刻膠顯影的主要目的是把掩模版圖形準確...
顯影是在正性光刻膠的曝光區和負性光刻膠的非曝光區的光刻膠在顯影液中溶解,在光刻膠上形成三維圖形的一種光刻技術。中文名 顯影 外文名 Develop 顯影是在...
圖1是正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比結果示意圖 [2] 。 圖1 正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比 利用這種性能,將光刻膠作塗層,就能在矽片表面...
中文名 正型光刻膠顯影劑 正型光刻膠顯影劑 主要成分為氫氧化鈉與有機胺。為無色透明的鹼性水溶液。用作正型光刻膠的顯影劑。 [1] ...
這一成像過程是一個光學過程;投影在光刻膠上的圖像激發光化學反應,烘烤後導致光刻膠局部可溶於顯影液,這是化學過程,描述這一物理化學過程的模型即為光刻膠模型 ...
特性 混合烷烴經1 . U}cm過濾膜過濾製得。為無色透明液體.易揮發.能與苯類、三氯甲烷、汕類等混合不溶於水易燃用於負}J光刻膠顯影。 ...
光刻中所用的顯影液 顯影液是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域的一種化學溶劑 [1] 。對於負顯影工藝,顯影液通常是一種有機溶劑,如二甲苯 [1] 。對於正...
對於高透射率掩模,使用正顯影工藝後將產生更多的顯影後反應產物,顯影後殘留缺陷更易黏在晶圓上。顯影缺陷分為:光刻膠殘留缺陷和顯影後反應物殘留缺陷。
負顯影工藝和正顯影工藝均使用正性光刻膠,二者的區別在於:1)負顯影工藝中使用有機顯影液,而正顯影工藝中使用傳統的水基顯影液;2)在正顯影工藝中,光刻膠中接收...
將顯影液塗覆在曝光後的晶圓表面上,正膠的曝光區域和負膠的非曝光區域溶於顯影液中,進一步將反應聚合物和顯影液殘留沖洗後,就可以顯現出光刻膠中的圖形,如圖1...
正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影...
在雙重顯影技術中,正性和負性的工藝的顯影閾值必須被小心匹配,如果正性和負性顯影的對比度曲線重疊非常小,經過兩次顯影步驟之後,幾乎所有的光刻膠都被顯影。需要...
圖 光刻膠顯影 高解析度成像檢測是捕捉任何微觀缺陷的最佳方式,缺陷的種類與形貌、工藝整合有關,如圖形重複,線 CD 變化、通孔缺失,這些關鍵缺陷常常在蝕刻、去膠...
光刻(英語:photolithography)工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到...
晶圓表面塗有光刻膠,掩模版上的圖形被投影到光刻膠上之後,會激發化學反應,從而將圖形固定保存下來,經過烘烤和顯影後會形成光刻膠圖形 [1] 。
正性光刻膠,樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛.提供光刻膠的黏附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中;感光劑是光敏化合物...
通過對各組分不同用量的調配可以得到不同性能的顯影液,如微粒顯影液、高反差顯影液等。工業上說的顯影劑,是針對半導體晶片而言。系列有顯影劑、光刻膠等。
其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區域的光刻膠發生化學反應;再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠...
高溫交聯光刻膠固化技術是指顯影後烘焙固化第一層光刻膠圖形,是另一種保護光刻膠圖形的方法。中文名 高溫交聯光刻膠的固化技術
在完成圖形的曝光後,用雷射曝光矽片邊緣,激發化學反應,這樣在最後顯影時,邊緣的光刻膠就與曝光圖形同時溶解在顯影液里,邊緣曝光裝置如圖3所示[1]。WEE的技術指標...
光刻膠的技術複雜,品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照後形成不可溶物質的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經光照後...
中文名 光刻膠敏感性 外文名 resist sensitivity 簡介 光刻膠敏感性可以用對比度曲線(contrast curve)來定量描述。圖1是光刻膠對比度曲線示意圖,它是顯影後殘留...
中文名 正型光刻膠 在受紫外光照射後光照區光分解劑發生分解,溶於有機或無機...其顯影和曝光操作寬容度狡、易於剝離,且耐熱性好、可以耐140℃的烘烤,圖形不...
交聯後,光刻膠不溶於顯影液,所以光刻膠表現為負膠。 [1] 圖1(a)環氧分子聚合物和(b)交聯 參考資料 1. 韋亞一.超大規模積體電路先進光刻理論與套用:科學...
特性 無色透明液體易燃,一般為酷類,如醋酸丁flljc)材電子純級試劑經里. IJfLII,孔徑濾摸過濾製得_適用j幾負型光刻膠顯影後的漂洗,以去除殘膠及留下一個沒...
無色透明液體。易揮發。能與醇、醚、三氯甲烷相混溶,不溶於水。易燃。由試劑正庚烷通過D . 2}cm孔徑濾膜製得,用作雙跳氮環化聚異戊二烯負型光刻膠顯影液...
極紫外光刻膠的厚度必須控制在50nm以下,這是為了保證顯影後光刻膠圖形的高度比不超過2(考慮到曝光時的光刻膠損失)。極紫外光刻膠圖形邊緣粗糙度(3σ)在8%×...
“footing”是指在光刻工藝中由於顯影不充分等原因導致光刻膠圖形底部寬大的現象。中文名 光刻膠圖形底部寬大 外文名 footing 產生原理:...
3,光阻顯影 曝光多餘圖形,以便進行蝕刻。4,鉻層刻蝕 對鉻層進行刻蝕,保留圖形。5,去除光阻 去除多餘光刻膠。6,尺寸測量 測量關鍵尺寸和檢測圖形定位。
其中通過增加曝光劑量來提高電子束光刻膠的抗刻蝕性;採用顯影液對曝光後的電子束光刻膠顯影,形成電子束光刻膠圖形;以電子束光刻膠圖形為掩模,各向異性刻蝕硬掩模...