極紫外光刻膠性能主要用三個參數來表示：解析度（resolution）、圖形邊緣粗糙度（LER）與敏感度（photo-speed）。 基本介紹 中文名：極紫外光刻膠性能外文名：EUV resist performance 對極紫外光刻膠性能這些參數的遷灑煉要求是和技術節點相對應的。雖然極紫外沒刪嬸有被微晚戲欠用於14nm邏輯節點的量產中，但光刻界的共識是，極紫外光刻膠分辨滲淚霸率必須滿足10nm邏輯節點或16nm半周期節點以下的工藝要求。極紫外光刻膠的厚度必須控制在50nm以下淚盛槳民，這是為了保證顯影後光刻膠圖形的高度比不超過2（考慮到曝光時的光刻膠損失）。極紫外光刻膠圖櫻立灑形邊緣粗糙度（3σ）在8%×線寬（CD）以下，也就是小於1.6nm。從產能的罪朵擊角度出發，要求EUV膠的曝光劑量不超過10mJ/cm2。
