光刻膠敏感性(resist sensitivity)是指光刻膠對曝光劑量的敏感程度,它是由材料本身的性質決定的,與曝光的波長及工藝參數有關,如烘烤的溫度和時間。
基本介紹
- 中文名:光刻膠敏感性
- 外文名:resist sensitivity
光刻膠敏感性(resist sensitivity)是指光刻膠對曝光劑量的敏感程度,它是由材料本身的性質決定的,與曝光的波長及工藝參數有關,如烘烤的溫度和時間。
光刻膠敏感性(resist sensitivity)是指光刻膠對曝光劑量的敏感程度,它是由材料本身的性質決定的,與曝光的波長及工藝參數有關,如烘烤的溫度和時間。 [1] ...
對比度(Contrast)指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側壁越陡峭,解析度越好。光刻膠敏感度 敏感度(Sensitivity)光刻膠上產生一個良好...
化學放大光刻膠曝光速度非常快,大約是DNQ線性酚醛樹脂光刻膠的10 倍;對短波長光源具有很好的光學敏感性;提供陡直側牆,具有高的對比度; 具有0.25μm 及其以下...
化學放大光刻膠曝光速度非常快,大約是DNQ線性酚醛樹脂光刻膠的10 倍;對短波長光源具有很好的光學敏感性;提供陡直側牆,具有高的對比度;具有0.25μm 及其以下尺寸...
光刻膠的力學特性和化學特性包括膠的固溶度、黏滯度、黏著度、抗蝕(刻蝕、腐蝕)性、熱穩定性、流動性和對環境氣氛(如氧氣)的敏感度。(3)其他特性。光刻膠的...
極紫外光刻膠性能主要用三個參數來表示:解析度(resolution)、圖形邊緣粗糙度(LER)與敏感度(photo-speed)。中文名 極紫外光刻膠性能 外文名 EUV resist ...
負性光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種由感光樹脂、增感劑(見光譜增感染料)和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。中文名 負性光刻膠 外文名 photoresist...
極紫外光刻膠 解析度 26nm 1:1線條,DOF>250nm 28nm通孔,DOF>150nm 28nm 1:1線條,DOF>150nm 30nm通孔,DOF>150nm 敏感度 26nm 1:1線條,12mJ/cm2...
再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,後者稱負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被複製到光刻膠薄膜上;最後利用刻蝕技術將圖形...
光刻材料都被安裝在勻膠顯影機上,根據工藝流程的安排,旋塗或噴淋在晶圓上。光刻材料中,最主要的是光刻膠,它是一種光敏感的聚合物。在一定波長的光照下,光子激發...
正光刻膠未被光照的部分在顯影后會被保留,而負光刻膠被感光的部分在顯影后會被保留。光刻膠不僅需要對指定的光照敏感,還需要在之後的金屬刻蝕等過程中保持性質...
4.2.5193nm光刻膠的負顯影工藝4.2.6光刻膠發展的方向4.2.7光刻膠溶劑的選取4.3光刻膠性能的評估4.3.1敏感性與對比度4.3.2光學常數與吸收係數4.3.3光刻膠的...
4.5.5正性有機小分子型光刻膠4.5.6基於無機物的新型光刻膠4.6光刻膠的解析度 線邊粗糙度 曝光靈敏度極限4.7輻射化學與光化學概述
化學放大膠是一種為了提高光刻膠的量子效率(量子效率(quantum efficiency),描述光刻膠對光子的敏感程度),基於化學放大原理的光刻膠,其主要成分是聚合物樹脂、光致...
電子束膠要求有很高的解析度和靈敏度,雖然普通的光刻膠對電子也很敏感,但其解析度和靈敏度遠遠達不到電子束膠的要求。電子束膠及電子束曝光在先進的微納結構的...