反應離子式深矽刻蝕系統

反應離子式深矽刻蝕系統

反應離子式深矽刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2014年1月20日啟用。

基本介紹

  • 中文名:反應離子式深矽刻蝕系統
  • 產地:英國
  • 學科領域:電子與通信技術
  • 啟用日期:2014年1月20日
  • 所屬類別:分析儀器 > 色譜儀器
技術指標,主要功能,

技術指標

1、適用於6寸(150mm)或8寸(200mm)矽片,同時兼容4寸(100mm)矽片; 2、反應腔體由整塊鋁錠製成,無焊接縫確保較低漏氣率:極限真空。

主要功能

1. 靈活的射頻電漿源; 2. 適用於多種材料; 3. 多個刻蝕終點檢測系統連線視窗; 4. 專利保護的ICP線圈設計 5. 低成本運行 6. 低雜質污染。

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