反應離子深刻蝕機

反應離子深刻蝕機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器，產於英國，於2013年03月20日啟用。

基本介紹

• 中文名：反應離子深刻蝕機
• 產地：英國
• 學科領域：物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程
• 啟用日期：2013年03月20日

技術指標

刻蝕速率10m/min；光刻膠刻蝕選擇比100:1；SiO2刻蝕選擇比150:1；刻蝕均勻性±3%(100mm直徑)，±5%(150mm直徑)；重複性#177;3%；陡直度(90±1);扇貝尺寸100nm。

主要功能

該設備是英國牛津電漿技術公司針對深矽刻蝕研製的新一代反應離子刻蝕系統，用於刻蝕高深寬比矽微結構。