《荷能重離子徑跡刻蝕法製備矽基膜納米孔道》是依託北京大學，由王宇鋼擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：荷能重離子徑跡刻蝕法製備矽基膜納米孔道
- 依託單位：北京大學
- 項目負責人：王宇鋼
- 項目類別：面上項目
- 批准號：10675011
- 申請代碼：A3001
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：40（萬元）
項目摘要
納米孔道技術誕生於上世紀九十年代末期，在生物分子檢測與分離、核酸分子超高速測序、納米線（針）和電極製備等方面具有重要的套用價值，已成為納米及相關套用學科中非常活躍的前沿研究領域。在目前僅有的四類製備納米級孔道的方法中，重離子徑跡刻蝕方法製備具有製作過程簡單、成本低、結構穩定以及利於製備納米孔道陣列等特點。本申請結合國際上納米孔道技術的最新發展趨勢和已有工作基礎，基於我們實驗室串列加速器的荷能重離子輻照，在矽基膜SiO2/Si、高聚物/Si等材料上，通過後續的化學刻蝕過程以及微弱電流監測和阻止溶液控制，製備出幾個納米的納米孔道；實驗研究孔道大小、形狀及均勻性與輻照離子參數及化學刻蝕條件的關係，實現矽基膜納米孔道的可控化製備；所製備的納米孔道具有對生物分子其大小等進行鑑別的能力。本項目將拓寬離子束的套用領域並提高其套用水平，追趕上國際上這項高新技術的發展步伐並製備出具有我們創新特色的納米孔道。
