矽深刻蝕系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2016年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：矽深刻蝕系統
- 產地：中國
- 學科領域：統計學
- 啟用日期：2016年12月1日
- 所屬類別：分析儀器 > 電子光學儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
矽刻蝕角度90度正負5度。
主要功能
孔徑2.5微米至1厘米，深寬比20：1。
矽深刻蝕系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2016年12月1日啟用。
矽深刻蝕系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2016年12月1日啟用。技術指標矽刻蝕角度90度正負5度。1主要功能孔徑2.5微米至1厘米，深寬比20：1。1...
深矽加工設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年6月18日啟用。技術指標 一、 設備用途： 該設備用於對4英寸晶圓片進行不同要求的矽材料刻蝕。 二、 技術規格要求： 1．基片尺寸：4英寸； 2．計算機檢測控制系統，...
它由於採用了感應棚合電漿(Inductively CupledPlasma.ICP),所以與傳統的反應離子刻蝕(RIE)、電子迴旋共振(ECR)等刻蝕技術相比，具有更大的各向異性刻蝕速率比和更高的刻蝕速率，且系統結構簡單。由於矽材料本身較脆，需要將加工了的矽...
《針對高深寬比矽微結構電漿低溫刻蝕技術研究》是依託西安交通大學，由盧德江擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 高深寬經矽微結構和加工需要嚴格的各項異性電漿深刻蝕，電漿低溫刻蝕工藝由於其獨特的刻蝕機理能夠滿足這...
1；刻蝕均勻性±3%(100mm直徑)，±5%(150mm直徑)；重複性#177;3%；陡直度(90±1);扇貝尺寸100nm。主要功能 該設備是英國牛津電漿技術公司針對深矽刻蝕研製的新一代反應離子刻蝕系統，用於刻蝕高深寬比矽微結構。
隨著這種高的定向性，在深槽底部的矽表面優先暴露出來與F*反應生成揮發性物質SiFx，從而樣品基底被刻蝕，兩個過程交替進行以便完成較好的各向異性刻蝕。該刻蝕系統具有刻速快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大面積均勻性好、刻蝕斷面...
.利用鹼性溶液（如KOH）對矽片的各向異性刻蝕容易製備高高寬比透射光柵，柵線側壁陡直而光滑，且所需光刻膠掩模槽深不大於100nm。本項目擬研究200nm周期的自支撐矽透射光柵的製備技術，代替傳統金透射光柵。通過全息光刻在鍍有氮化矽的...
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品；#11;(2)可選6-12 種氣體；#11;(3)可刻蝕多種材料，如可進行深矽刻蝕，...
Φ150mm口徑圓形直流離子源； 5、Ar+離子能量範圍： 100~1000 eV； 6、離子束流密度： 0~1 mA/cm2。主要功能 本設備具有微結構光電子器件樣品進行微米量級圖形曝光製作的能力，可以作為刻蝕系統的後套工序在襯底上形成精細圖形。
反應離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年06月17日啟用。技術指標 反應氣體：O2, Ar, CF4，CHF3，SF6 RF最大功率：300W；電極尺寸：240mm；刻蝕材料：矽基材料；最大晶片尺寸：4英寸。主要功能 主要...
而且由於系統中不引入鈍化氣體，在刻蝕腔體內壁不會形成氟化碳類聚合物的沉澱。在刻蝕系統方面，低溫刻蝕與Bosch刻蝕的區別僅在於一個需要低溫冷卻樣品基板，一個需要氣體轉換，所以可以在同一台ICP刻蝕系統上同時實現兩種刻蝕方式。
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