《針對高深寬比矽微結構電漿低溫刻蝕技術研究》是依託西安交通大學，由盧德江擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：針對高深寬比矽微結構電漿低溫刻蝕技術研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：盧德江
- 依託單位：西安交通大學
- 批准號：50205020
- 申請代碼：E05
- 負責人職稱：講師
- 研究期限：2003-01-01 至 2005-12-31
- 支持經費：23（萬元）
中文摘要
高深寬經矽微結構和加工需要嚴格的各項異性電漿深刻蝕，電漿低溫刻蝕工藝由於其獨特的刻蝕機理能夠滿足這一加工要求。本項目集中研究該刻蝕技術產生各向異性刻蝕的物理化學機制及其相關的工藝影響因素，研究的深入進行將促進該項刻蝕技術實際套用於MEMS與1C的研究和生產實踐之中。
