雙頻刻蝕系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2004年3月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：雙頻刻蝕系統
- 產地：日本
- 學科領域：數學
- 啟用日期：2004年3月1日
- 所屬類別：分析儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
Helicon腔體腔體極限真空8.0E-4Pa功率: 上電極0.6-1.5kW 下電極0-100W氣體種類:SF6 C4F8 Ar O2 N2 He工藝壓力0.01-1Pa工藝時襯底溫度-30℃--60℃刻蝕速率: Si 0.1-1.0 um/min均勻性: 4英寸樣片範圍內小於10%DFR腔體腔體極限真空8.0E-4Pa功率: 上電極 0-1.2kW 下電極 0-1kW刻蝕速率: SiO2 0.2-0.5um/min工藝壓力0.01-10Pa均勻性: 4英寸樣片範圍內小於10%氣體種類: SF6 CHF3 C4F8 Ar O2 N2 He。
主要功能
刻蝕Si使用SF6和C4F8這兩種工藝氣體，系統在低壓強下用高密度電漿來產生足夠的活性粒子，以便獲得較高的刻蝕速率。C4F8起到產生鈍化聚合物對側壁進行保護的作用，會在矽片的表面和結構深槽內都均勻地覆蓋一層聚合物保護膜。在隨後的刻蝕過程中，反應室內的活性氣體轉換成SF6並被分解，電場會對正離子加速，這樣增加垂直方向的離子能量，使平行於基片表面的聚合物區域被優先去除。隨著這種高的定向性，在深槽底部的矽表面優先暴露出來與F*反應生成揮發性物質SiFx，從而樣品基底被刻蝕，兩個過程交替進行以便完成較好的各向異性刻蝕。該刻蝕系統具有刻速快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大面積均勻性好、刻蝕斷面。
