離子刻蝕機是一種用於物理學領域的分析儀器,於1999年12月01日啟用。
基本介紹
- 中文名:離子刻蝕機
- 產地:英國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:1999年12月01日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器
離子刻蝕機是一種用於物理學領域的分析儀器,於1999年12月01日啟用。
離子刻蝕機是一種用於物理學領域的分析儀器,於1999年12月01日啟用。技術指標極限真空小於10e-4pa,刻蝕砷化鎵速率0.6um/min。1主要功能刻蝕砷化鎵、金。1...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
離子束刻蝕機是一種用於工程與技術科學基礎學科、測繪科學技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2013年07月15日啟用。技術指標 真空度1E-6mbar;最大樣品尺寸:500mm*1500mm;離子束刻蝕深度10nm-2000nm;刻蝕深度均勻性優於...
反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月30日啟用。技術指標 反應離子刻蝕機在射頻電源驅動下,在上下電極間形成電壓差、產生輝光放電,反應氣體分子被電離生成電漿;根據功率、氣體、襯底...
台式反應離子刻蝕機是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年11月01日啟用。技術指標 帶有8英寸底電極的Sirus T2反應裝置; 系統控制器(包括一套電腦系統和觸控螢幕界面); 四個氣體流量控制器; 與13.56 MHz 600...
反應離子深刻蝕機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,產於英國,於2013年03月20日啟用。技術指標 刻蝕速率10m/min;光刻膠刻蝕選擇比100:1;SiO2刻蝕選擇比150:1;刻蝕均勻性±3%(100mm直徑),±...
深反應離子刻蝕機 深反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2018年8月6日啟用。技術指標 PlasmaPro100 Estrelas。主要功能 淺刻蝕或者深刻蝕矽材料。
反離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2014年9月17日啟用。技術指標 (1) 載物台為150mm直徑的圓盤,可放置4英寸直徑的Si片和小片 (2) 刻蝕均勻性誤差±5%(4英寸內) (3) 有反應離子刻蝕和磁增強反應...
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕機(PE)相區別,經常把低壓的、不對稱的平面反應器叫做反應性離子刻蝕機(RIE)。當然,電漿刻蝕正發生在流體上,離子不再是主要的刻蝕劑。我們想用離子束輔助基子刻蝕(IBARE)這個名字來代替...
離子束刻蝕系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2005年10月1日啟用。技術指標 離子刻蝕系統由離子源、真空系統、反應室、氣路系統、水冷系統五大部分組成1.離子源口徑:Ф150mm2.有效...
聚焦離子束刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2016年6月13日啟用。技術指標 1、可以沉積Pt、SiO2, 同時可以加速刻蝕有機物;2、離子束解析度優於5nm,加速電壓0-30KV;3、I2、XeF2刻蝕源,Pt、...
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,產地為英國,於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
等離子刻蝕 等離子刻蝕,一種採用等離子的乾法蝕刻技術。通常使用較高壓力及較小的射頻功率,晶片表面層原子或分子與等離子氣氛中的活性原子接觸並發生反應,形成氣態生成物而離開晶面造成蝕刻。
全書共8章,內容包括積體電路簡介、等離子體基本原理、積體電路製造中的電漿刻蝕工藝、積體電路封裝中的電漿刻蝕工藝、電漿刻蝕機、電漿測試和表征、電漿仿真、顆粒控制和量產。本書對從事電漿刻蝕基礎研究和集成...
反應離子束刻蝕是離子束刻蝕技術的進一步發展,不但消除了再澱積現象,在刻蝕的選擇性和刻蝕速率方面也有很大提高。圖3是離子束刻蝕機的示意圖。在離子源中,惰性氣體氬(壓強為1~10-2帕)被電離而形成電漿,引出加速系統是一組具有...
RF 源:600 W 13.56MHz 晶片尺寸:最大8英寸 氧化矽刻蝕:速率>40nm/min;對PR選擇比>3 氮化矽刻蝕:速率>100nm/min;對PR選擇比>3 PI刻蝕速率:速率>300nm/min;對SiNx選擇比>15。主要功能 反應離子刻蝕是當前套用很廣泛...
比如不同的工藝使用不同的Focus Ring 5: Narrow Gap:窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層,中和晶圓上多餘的離子,有利於提高刻蝕剖面陡直度。6:反應室結構設計;由200mm時的側抽,改為下抽或者側下抽。有利於提高氣流均一性。
乾法刻蝕主要形式有純化學過程(如禁止式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。乾法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),...
等離子清洗/刻蝕機產生電漿的裝置是在密封容器中設定兩個電極形成電場,用真空泵實現一定的真空度,隨著氣體愈來愈稀薄,分子間距及分子或離子的自由運動距離也愈來愈長,受電場作用,它們發生碰撞而形成電漿,這些離子的活性很高,...
ICP Etcher 感應耦合式電漿蝕刻機 plasma etcher 電漿腐蝕器 glass etcher 玻璃蝕刻雕花機 ; 玻璃蝕刻工 ; 玻璃刻蝕工 eletric etcher 電解蝕刻器 Dry etcher 刻蝕機 RIE Etcher 性離子蝕刻機 alkali etcher 鹼腐蝕機 Oxide Etcher...
主要產品有:高密度等離子刻蝕機ICP、反應離子刻蝕機RIE、濺射台、PECVD、射頻電源、勻膠機。這些設備已長期用於微電子、光電子、微機械等領域的各加工廠、高等院校及研究所實驗室。本實驗室分為四個課題組,分別為:等離子新原理裝備課...