等離子刻蝕,一種採用等離子的乾法蝕刻技術。通常使用較高壓力及較小的射頻功率,晶片表面層原子或分子與等離子氣氛中的活性原子接觸並發生反應,形成氣態生成物而離開晶面造成蝕刻。
基本介紹
- 中文名:等離子刻蝕
- 定義:一種採用等離子的乾法蝕刻技術
等離子刻蝕,一種採用等離子的乾法蝕刻技術。通常使用較高壓力及較小的射頻功率,晶片表面層原子或分子與等離子氣氛中的活性原子接觸並發生反應,形成氣態生成物而離開晶面造成蝕刻。
等離子刻蝕 等離子刻蝕,一種採用等離子的乾法蝕刻技術。通常使用較高壓力及較小的射頻功率,晶片表面層原子或分子與等離子氣氛中的活性原子接觸並發生反應,形成氣態生成物而離開晶面造成蝕刻。
電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min;刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm);刻蝕SiNx速度 20 nm/min;刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主...
等離子刻蝕系統 等離子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2003年01月01日啟用。技術指標 極限真空3E-7T,6種工藝氣體,13.56MHz RF Power 分別是300W、1000W。主要功能 半導體工藝製造,金屬刻蝕。
等離子[體]刻蝕 等離子[體]刻蝕是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。發布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》
深等離子體刻蝕,也稱大深寬比刻蝕(High Aspect Ratio Etching,HARE),一般是選用Si作為刻蝕微結構的加工對象,它有別於VLSI 中的矽刻蝕,因此又稱為先進矽刻蝕(Advanced Silicon Etching,ASE) 工藝。它由於採用了感應棚合電漿(...
等離子體反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率:100nm/min;刻蝕均勻性:±6% on 4” wafer;刻蝕選擇性:50:1 to AI,50:1 to ...
電感耦合等離子體刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品;#11;(2)可選6-12 種氣體;#11;(3)可刻蝕多種材料,如可進行深矽刻蝕,...
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年4月30日啟用。技術指標 6英寸SiO2,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si3N4,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si,刻蝕速率>1000nm/min;片內均勻性優於±3%,重複性優...
感應耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。技術指標 六路帶MFC(非腐蝕性氣體)和截止閥的氣路Ar,,O2(大流量), CF4,,N2, SF6,O2(小流量), 二路帶MFC和旁路設計:CH4,H2 四路帶...
雙工藝腔體等離子體刻蝕系統 雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年1月15日啟用。技術指標 兩個工藝腔體,不均勻性4.64%。主要功能 刻蝕。
《等離子體刻蝕工藝及設備》是2023年電子工業出版社出版的圖書,作者是趙晉榮。內容簡介 本書以積體電路領域中的電漿刻蝕為切入點,介紹了電漿基礎知識、基於電漿的刻蝕技術、電漿刻蝕設備及其在積體電路中的套用。全書共8章...
電感耦合等離子刻蝕機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2014年12月01日啟用。技術指標 0 微米深矽刻蝕 約2.5微米獨立汽坑寬 大於 1 微米光刻膠掩膜厚度或大約 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圓形的矽暴露面積小於 10% 刻蝕速度 2...
感應耦合等離子刻蝕機 感應耦合等離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 分子泵,超淨間。主要功能 蝕刻。
電感耦合反應等離子刻蝕機 電感耦合反應等離子刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年6月8日啟用。技術指標 能在最大直徑為200mm的晶圓上獲得均勻、快速的蝕刻速率。主要功能 微納加工。
《100nm高密度等離子刻蝕機研發與產業化》,是以北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司等為主要完成單位完成的科研項目。參與情況 主要完成單位:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司,中國科學院微電子研究所,清華大學...
電感耦合等離子體刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年6月24日啟用。技術指標 Model type: Plasmalab 100-ICP180; Frequency: 50Hz; Rated Voltage:415 VAC 3 Max Rated Input Current:42Amps interrupt ...
感應耦合等離子體刻蝕系統 感應耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月24日啟用。技術指標 均勻性優於5%。主要功能 化學氣相沉積SiO2和SiN。
全自動型感應耦合等離子體刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年3月17日啟用。技術指標 樣片尺寸:6英寸,刻蝕不均勻性:優於±5%(Φ6英寸範圍),刻蝕室尺寸:不小於Φ350,電極尺寸: 不小於Φ220mm,深寬...
高深寬經矽微結構和加工需要嚴格的各項異性等離子體深刻蝕,電漿低溫刻蝕工藝由於其獨特的刻蝕機理能夠滿足這一加工要求。本項目集中研究該刻蝕技術產生各向異性刻蝕的物理化學機制及其相關的工藝影響因素,研究的深入進行將促進該項刻蝕技術...
電感耦合等離子體反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。技術指標 蝕刻反應室抽氣速率:真空度5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度5.0...
感應耦合等離子矽刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年6月8日啟用。技術指標 對矽基材料的微納結構刻蝕 -Etching and deposition of thin films -SiNx, SiO2, silicon, -RIE gases C4F8, O2, SF6, CHF3, Ar ...
暴露在電子區域的氣體形成等離子體,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實質上是電漿刻蝕的...
沸點一}2 . il`C熔點一155.2::其製法是採用 CHC1F,催化歧化反應工藝製取粗品:CHCI凡 CHF;十 L tiCl; + C'C'1ZFz,經間歇精餾,可製取高純三氟甲烷產品.、微 電子一業J’泛套用的等離子刻蝕氣體之一,特別是對二氧化 矽膜...
工藝天線效應是指等離子刻蝕工藝會使金屬刻蝕過程中收集大量的空間靜電電荷,當金屬積累的靜電電荷超過一定數量,形成的電勢超過它所接連門柵所能承受的擊穿電壓時,電晶體就會被擊穿,導致器件損壞。在深亞微米晶片製造過程中,金屬連線是...