《100nm高密度等離子刻蝕機研發與產業化》，是以北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司等為主要完成單位完成的科研項目。
高密度等離子刻蝕機 高密度等離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年10月1日啟用。技術指標 1、可加工片子尺寸：Ф150mm以內。 2、均勻性：±5% (4英寸矽片內)。主要功能 薄膜材料刻蝕與加工。
感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的電漿，在下電極的RF 射頻作用下，這些電漿對基片表面進行轟擊，基片圖形...
3.2.7 高密度等離子體刻蝕機 3.2.8 離子束刻蝕機 第二編 節能減排的納米技術 第4章 納米技術在環境中的套用 4.1 用於水處理的納米材料與納米技術 4.1.1 用於鉻渣治理的納米技術 4.1.2 套用於土壤與地下水修復的納米鐵粉 4.1.3 納米鐵鏽去除飲用水中砷污染 4.1.4 微納米氣泡治理藍藻水華 4...
(2006-2007);國家自然科學基金面上項目: 基於機率模型演化算法的協作多機器人系統學習與協調控制方法研究 (2009-2011).獎勵與榮譽 國家科技進步二等獎——100nm高密度等離子刻蝕機研發與產業化 (2009);北京市科技進步一等獎——100nm高密度等離子刻蝕機研發與產業化 (2007).
吳漢明研發高密度等離子體刻蝕，研究理論和實驗結果表明其電漿密度達到深亞微米刻蝕的要求，研究結果申報了國家發明專利，發表在國際專業期刊雜誌上並得到廣泛引用。研發了世界上第一套可以進行電漿工藝模擬的商業軟體並得到廣泛使用。2001年進入中芯國際積體電路製造（北京）有限公司後，組建了先進刻蝕技術工藝部，...
——積體電路及專用裝備。自主創新與合資合作相結合，加快開發化學氣相沉積（CVD）技術與設備、高密度等離子刻蝕機、物理氣相沉積（PVD）分子束外延裝備、分布重複投影光刻機、積體電路封裝設備、光學測量設備等積體電路製造、封裝、測試裝備，補齊積體電路及專用裝備短板。——智慧型終端設備。加快開發面向金融、交通、醫療等...
