感應耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。
基本介紹
- 中文名:感應耦合等離子刻蝕系統
- 產地:英國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2015年12月25日
感應耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年4月30日啟用。技術指標 6英寸SiO2,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si3N4,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si,刻蝕速率>1000nm/min;片內均勻性優於±3%,重複性...
自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料,...
全自動型感應耦合電漿刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年3月17日啟用。技術指標 樣片尺寸:6英寸,刻蝕不均勻性:優於±5%(Φ6英寸範圍),刻蝕室尺寸:不小於Φ350,電極尺寸: 不小於Φ220mm,深寬...
等離子刻蝕系統 等離子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2003年01月01日啟用。技術指標 極限真空3E-7T,6種工藝氣體,13.56MHz RF Power 分別是300W、1000W。主要功能 半導體工藝製造,金屬刻蝕。
電漿刻蝕(Plasma Etching),是將曝光顯影在光刻膠上的圖形轉移到目標材料上,最終形成所需設計圖案的過程。等離子刻蝕是半導體製造領域常用的一種目標材料去除工藝,一般通過外加電磁場激發腔室內特定氣體生成含高能粒子的電漿。等離...
等離子體刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min;刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm);刻蝕SiNx速度 20 nm/min;刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主...
但是該刻蝕技術不能獲得較高的選擇比,對表面的損傷大,有污染,難以形成更精細的圖形。工作原理 圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率...
用於電漿光譜診斷:通過分析ICP源的光譜來分析電漿原子組分,參見電感耦合等離子體原子發射光譜(ICP-AES);電感耦合等離子質譜分析技術:作為質譜分析的離子源,分析組分(ICP-MS);用於反應離子刻蝕:通過ICP源產生低溫電漿,...
等離子體反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率:100nm/min;刻蝕均勻性:±6% on 4” wafer;刻蝕選擇性:50:1 to AI,50:1 to ...
在半導體加工過程中,進入反應腔室4的工藝氣體被上方的電感耦合線圈3電離形成等離子體,生成的電漿刻蝕晶片5表面的材質。系統中分子泵抽出反應腔室4中的氣體。在這一過程中,使氣體產生電離形成電漿的射頻功率來自於電感耦合線圈3,...
4.4 先進封裝中翹曲片的等離子體處理方法75 參考文獻76 第5章 電漿刻蝕機78 5.1 電漿刻蝕機軟硬體結構78 5.1.1 傳輸系統78 5.1.2 真空控制系統81 5.1.3 射頻系統83 5.1.4 溫度控制系統84...
ECR刻蝕機 ECR刻蝕機是一種用於物理學領域的科學儀器,於2000年8月1日啟用。技術指標 微波功率:0~1kW, 壓力:0.01~0.2kPa。主要功能 矽片、玻璃等材料的刻蝕;功能薄膜材料的沉積;等離子體改性。
ICP乾法金屬刻蝕系統是一種用於化學、物理學領域的科學儀器,於2016年11月25日啟用。技術指標 晶圓尺寸:最大6英寸 下電極:He背冷 反應氣體:O2、Ar、Cl2、BCl3、SF6 刻蝕均勻性:≤6%。主要功能 通過電感耦合等離子體輝光放電分解...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合等離子體刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...
8.3 乾法刻蝕之一:反應離子刻蝕 8.3.1 反應離子刻蝕的原理 8.3.2 反應離子刻蝕的工藝參數 8.4 乾法刻蝕之二:反應離子深刻蝕 8.4.1 電感耦合等離子體刻蝕系統 8.4.2 Bosch工藝 8.4.3 納米結構的深刻蝕 8.4.4 反應離子...