ICP乾法金屬刻蝕系統

ICP乾法金屬刻蝕系統是一種用於化學、物理學領域的科學儀器，於2016年11月25日啟用。

基本介紹

• 中文名：ICP乾法金屬刻蝕系統
• 產地：日本
• 學科領域：化學、物理學
• 啟用日期：2016年11月25日

技術指標

晶圓尺寸：最大6英寸 下電極：He背冷 反應氣體：O2、Ar、Cl2、BCl3、SF6 刻蝕均勻性：≤6%。

主要功能

通過電感耦合電漿輝光放電分解反應氣體，對樣品表面進行物理轟擊及化學反應生成揮發性氣體，達到刻蝕的目的。