電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年4月30日啟用。
基本介紹
- 中文名:電感耦合等離子刻蝕系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2015年4月30日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年4月30日啟用。
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年4月30日啟用。技術指標6英寸SiO2,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si3N4,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si,刻蝕速率>...
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品;#11;(2)可選6-12 種氣體;#11;(3)可刻蝕多種材料,如可進行深矽刻蝕,...
電感耦合等離子刻蝕機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2014年12月01日啟用。技術指標 0 微米深矽刻蝕 約2.5微米獨立汽坑寬 大於 1 微米光刻膠掩膜厚度或大約 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圓形的矽暴露面積小於 10% 刻蝕速度 2...
電感耦合等離子體反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。技術指標 蝕刻反應室抽氣速率:真空度5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度5.0...
電感耦合反應等離子刻蝕機 電感耦合反應等離子刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年6月8日啟用。技術指標 能在最大直徑為200mm的晶圓上獲得均勻、快速的蝕刻速率。主要功能 微納加工。
電感耦合線圈3位於反應腔室4上方與匹配器2和射頻源1連線。在半導體加工過程中,進入反應腔室4的工藝氣體被上方的電感耦合線圈3電離形成等離子體,生成的電漿刻蝕晶片5表面的材質。系統中分子泵抽出反應腔室4中的氣體。在這一過程中,...
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
用於反應離子刻蝕:通過ICP源產生低溫電漿,刻蝕材料表面,改變材料的物理與化學性質(ICP-RIE);氣相沉積薄膜技術(rf-ICP)。電感耦合等離子體原子發射光譜 電感耦合電漿原子發射光譜法(Inductively coupled plasma atomic emission ...
中國科學院上海微系統與信息技術研究所原名中國科學院上海冶金研究所,前身是成立於1928年的國立中央研究院工程研究所,是中國最早的工學研究機構之一。新中國成立後隸屬中國科學院,曾命名中國科學院工學實驗館、中國科學院冶金陶瓷研究所。2...
(2)利用雙頻ICP/CCP放電等離子體處理HfO2高k薄膜改善了薄膜的電學性能;採用雙頻電漿開展了製備類石墨烯薄膜的研究;利用雙頻電漿處理矽油製備了發光軟物質材料;以及雙頻電漿刻蝕SiCOH低k材料及放電電漿化學的研究。(3)...
1:雙區進氣+additional Gas:Additional Gas的目的是通過調節內外區敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性,結果比較明顯。2:等離子體技術:電漿密度和能量單獨控制 3:電漿約束:減少Particle,提高結果重複性 4:工藝組件:適應不同工藝...
9.2乾法刻蝕圖形轉移技術148 9.2.1反應離子刻蝕148 9.2.2反應離子刻蝕的工藝參數150 9.3反應離子深刻蝕151 9.3.1電感耦合等離子體刻蝕系統151 9.3.2Bosch工藝152 9.3.3反應離子深刻蝕中存在的問題152 9.4等離子刻蝕153 9.5...
8.3 乾法刻蝕之一:反應離子刻蝕 8.3.1 反應離子刻蝕的原理 8.3.2 反應離子刻蝕的工藝參數 8.4 乾法刻蝕之二:反應離子深刻蝕 8.4.1 電感耦合等離子體刻蝕系統 8.4.2 Bosch工藝 8.4.3 納米結構的深刻蝕 8.4.4 反應離子...
射頻與電漿技術。所獲榮譽 2019年度北京市科學技術獎勵大會獲傑出青年中關村獎。人物影響 陳鵬帶領團隊開發出電感耦合、電容耦合等離子體技術,雙頻低損傷磁控濺射技術等多個射頻與等離子相關的技術,研發出射頻等離子系統,該系統是刻蝕機...