電感耦合電漿反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:電感耦合電漿反應離子刻蝕機
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2009年6月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
電感耦合電漿反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。
電感耦合電漿反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。技術指標蝕刻反應室抽氣速率:真空度5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;...
電感耦合反應等離子刻蝕機 電感耦合反應等離子刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年6月8日啟用。技術指標 能在最大直徑為200mm的晶圓上獲得均勻、快速的蝕刻速率。主要功能 微納加工。
感應耦合電漿刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,簡稱ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電,產生高密度的...
電感耦合等離子刻蝕機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2014年12月01日啟用。技術指標 0 微米深矽刻蝕 約2.5微米獨立汽坑寬 大於 1 微米光刻膠掩膜厚度或大約 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圓形的矽暴露面積小於 10% 刻蝕速度 2...
由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為電漿, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由於陰極附近的電場方向垂直於陰極...
電感耦合線圈3位於反應腔室4上方與匹配器2和射頻源1連線。在半導體加工過程中,進入反應腔室4的工藝氣體被上方的電感耦合線圈3電離形成電漿,生成的電漿刻蝕晶片5表面的材質。系統中分子泵抽出反應腔室4中的氣體。在這一過程中,...
用於電漿光譜診斷:通過分析ICP源的光譜來分析電漿原子組分,參見電感耦合電漿原子發射光譜(ICP-AES);電感耦合等離子質譜分析技術:作為質譜分析的離子源,分析組分(ICP-MS);用於反應離子刻蝕:通過ICP源產生低溫電漿,...
ME-3A型磁增強反應離子刻蝕機在材料微納米尺寸的精細加工過程中對光刻膠、Si02、SixNy、多晶矽等材料進行刻蝕或對材料表面做處理。反應離子刻蝕機採用三氟甲烷作為腐蝕氣體,通過外加射頻電壓將腐蝕氣體離化為電漿,電漿在外電場...
它的弱點是刻蝕速度較低,選擇性比較差。傳導耦合性電漿刻蝕的優勢在於刻蝕速率高、良好的物理形貌和通過對反應氣體的選擇,達到針對光刻膠和襯底的高選擇比。一般用於對特徵形貌沒有要求的去膠(ashing,灰化)工藝。反應離子刻蝕是上述...
ECR刻蝕機 ECR刻蝕機是一種用於物理學領域的科學儀器,於2000年8月1日啟用。技術指標 微波功率:0~1kW, 壓力:0.01~0.2kPa。主要功能 矽片、玻璃等材料的刻蝕;功能薄膜材料的沉積;電漿改性。
ICP刻蝕機 ICP刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年3月2日啟用。技術指標 TCP刻蝕機的刻蝕解析度:100nm;基片尺寸:2英寸、4英寸。主要功能 用於Si、GaN、藍寶石等材料的乾法蝕刻。
第7章 電漿仿真123 7.1 刻蝕機涉及的物理場123 7.1.1 電漿場123 7.1.2 電磁場131 7.1.3 流場132 7.1.4 溫度場133 7.1.5 化學反應136 7.1.6 各物理場之間的耦合137 7.2 多物理...
3:電漿約束:減少Particle,提高結果重複性 4:工藝組件:適應不同工藝需求,對應不同的工藝組件,比如不同的工藝使用不同的Focus Ring 5: Narrow Gap:窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層,中和晶圓上多餘的離子,有利於提高刻蝕剖面...
8.4.1 電感耦合電漿刻蝕系統 8.4.2 Bosch工藝 8.4.3 納米結構的深刻蝕 8.4.4 反應離子深刻蝕中存在的問題 8.5 乾法刻蝕之三:電漿刻蝕 8.6 乾法刻蝕之四:離子濺射刻蝕 8.7 乾法刻蝕之五:反應氣體刻蝕 8.8 ...