ICP刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年3月2日啟用。
基本介紹
- 中文名:ICP刻蝕機
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2012年3月2日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
ICP刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年3月2日啟用。
ICP刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年3月2日啟用。技術指標TCP刻蝕機的刻蝕解析度:100nm;基片尺寸:2英寸、4英寸。1主要功能用於Si、GaN、藍寶石等材料的乾法蝕刻。1...
ICP乾法刻蝕機是一種用於材料科學、物理學、電子與通信技術、動力與電氣工程領域的科學儀器,於2013年10月29日啟用。技術指標 1. 反應腔室本底真空:<1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa),抽真空2小時後 2. 反應腔室漏率:<5 x...
感應耦合電漿刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,簡稱ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電,產生高密度的...
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
乾法刻蝕主要形式有純化學過程(如禁止式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。乾法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),...
廣東省半導體產業技術研究院按照高起點、高標準的要求,已經完成3000平方米的研究室,購置了有機化學氣相沉積系統、Hall測試系統、X射線雙晶衍射儀、光螢光光譜儀、低溫PL光螢光光譜儀、ICP刻蝕機、PECVD、電子束蒸發台、襯底減薄拋光機、...
設備包含飛秒雷射器、皮秒雷射、脈衝發生器納秒雷射、條紋相機、低溫冷台、各波段光譜儀、半導體參數分析儀、積分球、ICP-RIE刻蝕機、熱蒸鍍、光刻機、手套箱等等。科研成就 第一個紅光光子晶體雷射器 第一個尺寸小於1微米的雷射器 第...
中心現有80多台各種微機電工藝設備,如AMS 200深矽電漿刻蝕系統、ICP-2B刻蝕機、AWB04鍵合機、MA6/BA6 Karlsuss雙面光刻機和鍵合機、POLI-400化學機械拋光機、WL2040鋁絲壓焊機、OPTI CAOT 22i噴塗膠機系統、ZSH406全自動劃片...
IC 製造實現晶片電路圖從掩模上轉移至矽片上,並實現目標晶片功能,包括化學機械研磨、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入等步驟。 IC 封測完成對晶片的封裝和性能、功能測試,是產品交付前的最後工序。光刻是半導體晶片生產流程中最複雜、最關...
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