ICP乾法刻蝕機是一種用於材料科學、物理學、電子與通信技術、動力與電氣工程領域的科學儀器，於2013年10月29日啟用。
基本介紹
- 中文名：ICP乾法刻蝕機
- 產地：德國
- 學科領域：材料科學、物理學、電子與通信技術、動力與電氣工程
- 啟用日期：2013年10月29日
技術指標,主要功能,
技術指標
1. 反應腔室本底真空：＜1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa)，抽真空2小時後 2. 反應腔室漏率：＜5 x 10-4 mbar？l/s 3. 預真空室本底真空：＜1 x 10-1 mbar (10 Pa) 4. 預真空室漏率：＜5 x 10-4 mbar？l/s 5. 樣片操作： 不同設定：樣片進/出 6. 氣路系統： 測試所有質量流量計（設定值10%, 50%, 90%） 7. 壓力控制： 壓力計/控制閥，不同壓力 8. 下電極溫度控制： 不同設定，-30oC~ +200oC（帶循環冷卻器Chiller）或RT~ +250oC（外接冷卻水） 9. 電漿測試： 不同設定（Ar或N2） 10. 反射功率： ≤ 1%，ICP功率 ≥ 500 W≤ 5 W，ICP功率＜500 W 11. 其他： 安全互鎖、運行工藝處方（Recipe）等 12. SiC刻蝕工藝 Cr掩膜 刻蝕深度：≥ 2 μm 刻蝕速率：≥ 400 nm/min 選擇比：≥ 40:1 （SiC: Cr） 片上不均勻性：在50 mm範圍內 ≤。
主要功能
主要功能：等離子刻蝕是利用高頻輝光放電效應，使反應氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴散到需刻蝕部位，與被刻蝕材料進行反應，形成揮發性反應物而被去除。其優勢在於快速的刻蝕速率同時可獲得良好的物理形貌。
