ICP金屬刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年7月7日啟用。
基本介紹
- 中文名:ICP金屬刻蝕機
- 產地:美國
- 學科領域:物理學、電子與通信技術
- 啟用日期:2012年7月7日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
ICP金屬刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年7月7日啟用。
ICP金屬刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年7月7日啟用。技術指標刻蝕速率〉200nm/min。1主要功能金屬及合金的精細結構的乾法刻蝕。1...
ICP刻蝕機 ICP刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年3月2日啟用。技術指標 TCP刻蝕機的刻蝕解析度:100nm;基片尺寸:2英寸、4英寸。主要功能 用於Si、GaN、藍寶石等材料的乾法蝕刻。
ICP乾法刻蝕機是一種用於材料科學、物理學、電子與通信技術、動力與電氣工程領域的科學儀器,於2013年10月29日啟用。技術指標 1. 反應腔室本底真空:<1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa),抽真空2小時後 2. 反應腔室漏率:<5 x...
感應耦合電漿刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,簡稱ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電,產生高密度的...
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,產地為英國,於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
真空度1E-6mbar;最大樣品尺寸:500mm*1500mm;離子束刻蝕深度10nm-2000nm;刻蝕深度均勻性優於5%。主要功能 用於對融石英、半導體、金屬、光刻膠等材料的離子束刻蝕;設備使用氬氣及氟基氣體進行離子束與反應離子束刻蝕;光柵及其它微...
感應耦合等離子刻蝕機 感應耦合等離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 分子泵,超淨間。主要功能 蝕刻。
乾法刻蝕主要形式有純化學過程(如禁止式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。乾法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),...