刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，產地為英國，於2012年5月14日啟用。
基本介紹
- 中文名：刻蝕機
- 產地：英國
- 學科領域：電子與通信技術
- 啟用日期：2012年5月14日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
均勻性±5%。
主要功能
三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，產地為英國，於2012年5月14日啟用。
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，產地為英國，於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
ICP乾法刻蝕機是一種用於材料科學、物理學、電子與通信技術、動力與電氣工程領域的科學儀器，於2013年10月29日啟用。技術指標 1. 反應腔室本底真空：＜1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa)，抽真空2小時後 2. 反應腔室漏率：＜5 x...
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是乾法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
乾刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年6月11日啟用。技術指標 本設備能精確控制刻蝕速率、適用於對均勻性要求高的刻蝕和不易濕法刻蝕的薄膜： 1. 選擇比（刻蝕速率比）： SiOx/Mo5，SiOx/Al20，SiOx/ITO＞20，...
反應離子深刻蝕機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器，產於英國，於2013年03月20日啟用。技術指標 刻蝕速率10m/min；光刻膠刻蝕選擇比100:1；SiO2刻蝕選擇比150:1；刻蝕均勻性±3%(100mm直徑)，±...
離子束刻蝕機是一種用於工程與技術科學基礎學科、測繪科學技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器，於2013年07月15日啟用。技術指標 真空度1E-6mbar；最大樣品尺寸：500mm*1500mm；離子束刻蝕深度10nm-2000nm；刻蝕深度均勻性優於...
ICP寶石刻蝕機 ICP寶石刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2011年12月27日啟用。技術指標 二氧化矽刻蝕選擇比：4:1~10:1；刻蝕尺寸：2寸*7片。主要功能 對寶石、GaN等材料進行精細加工。
高性能ICP刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2018年11月30日啟用。技術指標 環境溫度： 23±3℃ 環境濕度： ≤ 60% RH 刻蝕深度均勻性差異小於5%；可進行4英寸基片刻蝕。主要功能 用於III-V材料的乾法刻蝕。
台式反應離子刻蝕機是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2014年11月01日啟用。技術指標 帶有8英寸底電極的Sirus T2反應裝置； 系統控制器(包括一套電腦系統和觸控螢幕界面)； 四個氣體流量控制器； 與13.56 MHz 600...
離子刻蝕機 離子刻蝕機是一種用於物理學領域的分析儀器，於1999年12月01日啟用。技術指標 極限真空小於10e-4pa,刻蝕砷化鎵速率0.6um/min。主要功能 刻蝕砷化鎵、金。
深矽ICP刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2019年5月17日啟用。技術指標 1. 通用刻蝕：刻蝕深度（150um），刻蝕速度（8um/min）; 2. 高速刻蝕：刻蝕深度（150um）...
聚合物刻蝕機是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2018年11月30日啟用。技術指標 RF 源：600 W 13.56MHz 晶片尺寸：最大8英寸 氧化矽刻蝕：速率＞40nm/min；對PR選擇比＞3 氮化矽刻蝕：速率＞100nm/min；對PR...
電感耦合等離子刻蝕機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器，於2014年12月01日啟用。技術指標 0 微米深矽刻蝕 約2.5微米獨立汽坑寬 大於 1 微米光刻膠掩膜厚度或大約 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圓形的矽暴露面積小於 10% 刻蝕速度 2...
反離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2014年9月17日啟用。技術指標 (1) 載物台為150mm直徑的圓盤，可放置4英寸直徑的Si片和小片 (2) 刻蝕均勻性誤差±5%（4英寸內） (3) 有反應離子刻蝕和磁增強反應...
納米級刻蝕機 納米級刻蝕機，是一種納米級的刻蝕機，屬於刻蝕機領域的前瞻性技術研究。
全自動型離子束刻蝕機 全自動型離子束刻蝕機是一種用於物理學領域的計量儀器，於2016年3月16日啟用。技術指標 MRIBE-150。主要功能 全自動型離子束刻蝕機。
感應耦合等離子刻蝕機 感應耦合等離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月21日啟用。技術指標 分子泵，超淨間。主要功能 蝕刻。
感應耦合電漿刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2013年3月26日啟用。技術指標 刻蝕均勻性≤5％，金屬刻蝕對氧化物及矽選擇比≥3。主要功能 等離子刻蝕，是乾法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子...
反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月30日啟用。技術指標 反應離子刻蝕機在射頻電源驅動下，在上下電極間形成電壓差、產生輝光放電，反應氣體分子被電離生成電漿；根據功率、氣體、襯底...
自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料，...
感應耦合反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年10月15日啟用。技術指標 4英寸內刻蝕不均勻性小於3.5%（3-sigma標準）。使用CHF3刻蝕Pyrex 7740玻璃時，刻蝕速率不低於100nm/min。對AZP光膠（120攝氏度hard ...
RIE反應離子刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2014年11月24日啟用。技術指標 SiO2刻蝕速率30 nm/min； SiNx刻蝕速率80-150 nm/min； SiNx、SiO2刻蝕速率選擇比＞3:1。主要功能 SiO2、SiNx精細結構的低...
電感耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2014年6月24日啟用。技術指標 Model type: Plasmalab 100-ICP180; Frequency: 50Hz； Rated Voltage：415 VAC 3 Max Rated Input Current：42Amps interrupt ...
深反應離子刻蝕機 深反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的電子測量儀器，於2018年8月6日啟用。技術指標 PlasmaPro100 Estrelas。主要功能 淺刻蝕或者深刻蝕矽材料。
電感耦合電漿反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2009年6月15日啟用。技術指標 蝕刻反應室抽氣速率：真空度5.0×10^-5Torr（15分鐘內）；蝕刻反應室極限真空：8.0×10^-6Torr；裝載室抽氣速率：真空度5.0...