ICP寶石刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月27日啟用。
基本介紹
- 中文名:ICP寶石刻蝕機
- 產地:韓國
- 學科領域:物理學、電子與通信技術
- 啟用日期:2011年12月27日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
二氧化矽刻蝕選擇比:4:1~10:1;刻蝕尺寸:2寸*7片。
主要功能
對寶石、GaN等材料進行精細加工。
ICP寶石刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月27日啟用。