乾刻蝕機

乾刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年6月11日啟用。

基本介紹

• 中文名：乾刻蝕機
• 產地：日本
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2014年6月11日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

本設備能精確控制刻蝕速率、適用於對均勻性要求高的刻蝕和不易濕法刻蝕的薄膜： 1. 選擇比（刻蝕速率比）： SiOx/Mo5，SiOx/Al20，SiOx/ITO＞20，SiOx/SiNx＞1，SiNx/SiOx＞5，a-Si/光刻膠1， SiOx/光刻膠1， SiNx/光刻膠1； 2. ★ 刻蝕速率：SiO2 ＞80 nm/min，SiNx＞150 nm/min，a-Si＞150 nm/min，p-Si＞100 nm/min，ITO＞30 nm/min，光刻膠灰化速率＞300 nm/min； 3。

主要功能

設備主要用於金屬薄膜或絕緣薄膜的刻蝕，以圖形化出需要的圖形。 該設備使用電漿狀態下氣體的化學活性要比在常態下強很多倍的特點，根據刻蝕材料的不同，選擇不同的氣體，就能很快與被刻蝕材料進行反應，從而實現刻蝕的目的。