乾法刻蝕系統是一種用於化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2019年03月11日啟用。
基本介紹
- 中文名:乾法刻蝕系統
- 產地:中國
- 學科領域:化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程
- 啟用日期:2019年03月11日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電子產品通用工藝實驗設備
乾法刻蝕系統是一種用於化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2019年03月11日啟用。
乾法刻蝕系統是一種用於化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2019年03月11日啟用。技術指標功率使用範圍:0-600W 頻率 13.56MHz 精度±0.005% 最小輸出功率 ...
ICP乾法刻蝕系統 ICP乾法刻蝕系統是一種用於統計學領域的分析儀器,於2006年8月1日啟用。技術指標 1*10-6pa。主要功能 ICP乾法刻蝕系統。
ICP刻蝕系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2015年5月25日啟用。技術指標 1.片內均勻性(3”)4%(距離基片邊緣3mm處) 2.批-批均勻性(3”)4%(距離基片邊緣3mm處) 3.極限真空度(在12小時以內)3*10-7Torr 4...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
一個具有高選擇性的刻蝕系統,應該只對被加工薄膜有腐蝕作用,而不傷及一旁之刻蝕掩膜或其下的基板材料。(1)等向性刻蝕 (isotropic etching)大部份的濕刻蝕液均是等向性,換言之,對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度並無明顯差異。故...
反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的乾法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應,同時...
等離子刻蝕速率 什麼是刻蝕 刻蝕是採用化學或物理方法有選擇地從晶片表面去除不需要材料的過程。刻蝕目的:在塗膠的晶片表面上正確的複製掩膜圖形。什麼是物理乾法刻蝕 目前刻蝕採用的物理方法是使用等離子刻蝕系統把晶片表面暴露於氣態中產生的...
因此在於法刻蝕工藝中反應性離子刻蝕得到廣泛套用。反應性離子刻蝕特點及設備 套用了基子和離子碰撞的平面式反應器也被使用。至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕...
電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min;刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm);刻蝕SiNx速度 20 nm/min;刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主...
最普通的乾法蝕刻為等離子蝕刻,等離子蝕刻設備由一個真空腔體和真空系統、一個氣體系統(用於提供精確的氣體種類和流量)、射頻電源及其調節匹配電路系統組成。濺射蝕刻反應器 在濺射蝕刻中,反應器由一真空室和兩個扁平電極組成。兩電極表面...
8.3 乾法刻蝕之一:反應離子刻蝕 8.3.1 反應離子刻蝕的原理 8.3.2 反應離子刻蝕的工藝參數 8.4 乾法刻蝕之二:反應離子深刻蝕 8.4.1 電感耦合電漿刻蝕系統 8.4.2 Bosch工藝 8.4.3 納米結構的深刻蝕 8.4.4 反應離子...
9.2乾法刻蝕圖形轉移技術148 9.2.1反應離子刻蝕148 9.2.2反應離子刻蝕的工藝參數150 9.3反應離子深刻蝕151 9.3.1電感耦合電漿刻蝕系統151 9.3.2Bosch工藝152 9.3.3反應離子深刻蝕中存在的問題152 9.4等離子刻蝕153 9.5...