等離子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2003年01月01日啟用。
基本介紹
- 中文名:等離子刻蝕系統
- 產地:英國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2003年01月01日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
等離子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2003年01月01日啟用。
等離子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2003年01月01日啟用。技術指標極限真空3E-7T,6種工藝氣體,13.56MHz RF Power 分別是300W、1000W。1主要功能半導體工藝製造,...
電漿刻蝕系統 電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min;刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm);刻蝕SiNx速度 20 nm/min;刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主要功能 刻蝕SiO2和SiNx。
等離子體反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率:100nm/min;刻蝕均勻性:±6% on 4” wafer;刻蝕選擇性:50:1 to AI,50:1 to Cr;微結構輪廓控制:89o-90o ● Si刻蝕 刻蝕速率:300nm/min;刻蝕均勻性:...
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年4月30日啟用。技術指標 6英寸SiO2,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si3N4,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si,刻蝕速率>1000nm/min;片內均勻性優於±3%,重複性優於±3%。主要功能 刻蝕Si,SiO2,Si3N4,III v族元素材料。
等離子體化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和600W各一台 氣路系統:不低於6路 刻蝕均勻性:≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
電感耦合等離子體刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品;#11;(2)可選6-12 種氣體;#11;(3)可刻蝕多種材料,如可進行深矽刻蝕,刻蝕SiO2、SiNx等。主要功能 電感耦合電漿刻蝕系統由於具有邊刻蝕邊進行側壁...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面...
雙工藝腔體等離子體刻蝕系統 雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年1月15日啟用。技術指標 兩個工藝腔體,不均勻性4.64%。主要功能 刻蝕。
但是該刻蝕技術不能獲得較高的選擇比,對表面的損傷大,有污染,難以形成更精細的圖形。工作原理 圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配...
感應耦合電漿刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年3月26日啟用。技術指標 刻蝕均勻性≤5%,金屬刻蝕對氧化物及矽選擇比≥3。主要功能 等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了...
等離子一體刻蝕機 等離子一體刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月13日啟用。技術指標 可刻蝕各種尺寸形狀的樣品, 最大面積達1000 cm2。主要功能 薄膜刻蝕。
因此在於法刻蝕工藝中反應性離子刻蝕得到廣泛套用。反應性離子刻蝕特點及設備 套用了基子和離子碰撞的平面式反應器也被使用。至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕機(PE)相區別,經常把低壓的、不對稱的平面反應器叫做反應性離子刻蝕機(RIE)...
離子刻蝕沉積系統 離子刻蝕沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器,於2008年12月22日啟用。技術指標 背景真空: 10sup-7/supTorr;8路反應和刻蝕氣體;均有流量計精確控制;生長與刻蝕雙腔獨立;襯底工作溫度:700℃。主要功能 矽基半導體薄膜沉積與等離子體刻蝕。
nm/min 選擇比:≥ 40:1 (SiC: Cr) 片上不均勻性:在50 mm範圍內 ≤。主要功能 主要功能:等離子刻蝕是利用高頻輝光放電效應,使反應氣體激活成活性粒子,如原子或游離基,這些活性粒子擴散到需刻蝕部位,與被刻蝕材料進行反應,形成揮發性反應物而被去除。其優勢在於快速的刻蝕速率同時可獲得良好的物理形貌。
介質等離子體刻蝕設備 介質電漿刻蝕設備是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2019年4月29日啟用。技術指標 儀器儀表,計量標準器具及量具,衡器。主要功能 使用基於物理轟擊和化學腐蝕相結合的手段,進行薄膜材料的刻蝕減薄,以及微納加工的圖形化工藝。
4.4 先進封裝中翹曲片的等離子體處理方法75 參考文獻76 第5章 電漿刻蝕機78 5.1 電漿刻蝕機軟硬體結構78 5.1.1 傳輸系統78 5.1.2 真空控制系統81 5.1.3 射頻系統83 5.1.4 溫度控制系統84 5.1.5 附屬設備85 5.1.6 整機控制系統85 5.2 關鍵結構的設計...