等離子一體刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月13日啟用。
基本介紹
- 中文名:等離子一體刻蝕機
- 產地:美國
- 學科領域:信息科學與系統科學
- 啟用日期:2015年1月13日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電路板製造工藝實驗設備
等離子一體刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月13日啟用。
等離子一體刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月13日啟用。技術指標可刻蝕各種尺寸形狀的樣品, 最大面積達1000 cm2。1主要功能薄膜刻蝕。1...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面...
全自動型感應耦合等離子體刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年3月17日啟用。技術指標 樣片尺寸:6英寸,刻蝕不均勻性:優於±5%(Φ6英寸範圍),刻蝕室尺寸:不小於Φ350,電極尺寸: 不小於Φ220mm,深寬比:大於10:1(Si),選擇比:大於50:1(光刻膠:Si), 襯底加熱:tm≤...
自動感應耦合等離子體刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料,其它Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等。3. 刻蝕速率: 0.01~ 2μ/min(據不同...
電感耦合等離子刻蝕機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2014年12月01日啟用。技術指標 0 微米深矽刻蝕 約2.5微米獨立汽坑寬 大於 1 微米光刻膠掩膜厚度或大約 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圓形的矽暴露面積小於 10% 刻蝕速度 2 微米/分鐘 光刻膠的選擇比: 50 : 1 SiO2 的選擇比 100 : 1邊壁角度: ...
電感耦合反應等離子刻蝕機 電感耦合反應等離子刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年6月8日啟用。技術指標 能在最大直徑為200mm的晶圓上獲得均勻、快速的蝕刻速率。主要功能 微納加工。
感應耦合等離子體刻蝕設備 感應耦合電漿刻蝕設備是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2013年12月1日啟用。技術指標 均勻性<3%。主要功能 刻蝕。
本書以積體電路領域中的等離子體刻蝕為切入點,介紹了電漿基礎知識、基於電漿的刻蝕技術、電漿刻蝕設備及其在積體電路中的套用。全書共8章,內容包括積體電路簡介、電漿基本原理、積體電路製造中的電漿刻蝕工藝、積體電路封裝中的電漿刻蝕工藝、電漿刻蝕機、電漿測試和表征、電漿仿真、...
《100nm高密度等離子刻蝕機研發與產業化》,是以北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司等為主要完成單位完成的科研項目。參與情況 主要完成單位:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司,中國科學院微電子研究所,清華大學,北京大學 獲獎記錄 2009年度國家科學技術進步獎二等獎。
等離子刻蝕 等離子刻蝕,一種採用等離子的乾法蝕刻技術。通常使用較高壓力及較小的射頻功率,晶片表面層原子或分子與等離子氣氛中的活性原子接觸並發生反應,形成氣態生成物而離開晶面造成蝕刻。