感應耦合電漿刻蝕設備是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2013年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:感應耦合電漿刻蝕設備
- 產地:中國
- 學科領域:物理學、工程與技術科學基礎學科
- 啟用日期:2013年12月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
感應耦合電漿刻蝕設備是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2013年12月1日啟用。
感應耦合電漿刻蝕設備是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2013年12月1日啟用。技術指標均勻性<3%。1主要功能刻蝕。1...
自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料,...
全自動型感應耦合電漿刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年3月17日啟用。技術指標 樣片尺寸:6英寸,刻蝕不均勻性:優於±5%(Φ6英寸範圍),刻蝕室尺寸:不小於Φ350,電極尺寸: 不小於Φ220mm,深寬...
《包含多個處理平台的去耦合反應離子刻蝕室》是中微半導體設備(上海)有限公司於2007年6月20日申請的發明專利,該專利的申請號為2007100422855,公布號為CN101076219,公布日為2007年11月21日,發明人是尹志堯、倪圖強、陳金元、錢學煜。一...
圖1所示的電感耦合電漿裝置是2005年2月之前半導體刻蝕設備中大多數採用的結構。一般由反應腔室4、靜電卡盤6與電感耦合線圈3組成,靜電卡盤6位於反應腔室4與匹配器8和射頻源7連線,靜電卡盤6上安裝晶片5。電感耦合線圈3位於反應腔室4...
《電漿刻蝕工藝及設備》是2023年電子工業出版社出版的圖書,作者是趙晉榮。內容簡介 本書以積體電路領域中的電漿刻蝕為切入點,介紹了電漿基礎知識、基於電漿的刻蝕技術、電漿刻蝕設備及其在積體電路中的套用。全書共8章...
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率:100nm/min;刻蝕均勻性:±6% on 4” wafer;刻蝕選擇性:50:1 to AI,50:1 to ...
進行乾式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入並與電漿進行交換。電漿在工件表面發生反應,反應的揮發性副產物被真空泵抽走。電漿刻蝕工藝實際上便是一種反應性等離子工藝。近期...
為了適應工藝發展需求,各家設備廠商都推出了一系列的關鍵技術來滿足工藝需求。主要有以下幾類;1:雙區進氣+additional Gas:Additional Gas的目的是通過調節內外區敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性,結果比較明顯。2:電漿技術:電漿...
表1 刻蝕氣體和主要刻蝕薄膜 設備 典型的(平行板)RIE系統包括圓柱形真空室,晶片盤位於室的底部。晶片盤與腔室的其餘部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入,並通過底部離開真空泵系統。所用氣體的類型和數量取決於蝕刻工藝;例如,...
電漿刻蝕工藝也變得越來越重要。電漿刻蝕與光刻工藝共同形成了半導體領域的圖形化工藝模組,推動積體電路領域的工藝發展。衡量電漿刻蝕性能的參數一般包括刻蝕速率、刻蝕選擇比、刻蝕形貌以及特徵尺度及設備尺度的刻蝕均勻性。
低氣壓電漿發生器已日益廣泛套用於電漿聚合、製備薄膜、刻蝕、清洗等表面處理工藝中。成功的例子如:在半導體製作工藝中,採用氟里昂電漿乾腐蝕,用離子鍍法在金屬表面生成氮化鈦膜等。70年代以來,低氣壓電漿對非金屬固體...
等離子增強化學沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年6月30日啟用。技術指標 等粒子源: 射頻淋浴源(RF)、空心陰極高密度電漿源(HCD)、感應耦合電漿源(ICP)或微波電漿源, VHF(甚高頻)電源 ...
1.6華人在低溫電漿蝕刻機台發展中的卓越貢獻 1.7未來低溫電漿蝕刻技術展望 參考文獻 第2章低溫電漿蝕刻簡介 2.1電漿的基本概念 2.2低溫電漿蝕刻基本概念 2.3電漿蝕刻機台簡介 2.3.1電容耦合電漿機台 2...
因此在於法刻蝕工藝中反應性離子刻蝕得到廣泛套用。反應性離子刻蝕特點及設備 套用了基子和離子碰撞的平面式反應器也被使用。至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合電漿刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...
科技設備 中心具有的關鍵工藝和測試設備:電子束光刻設備、MA6/BA6雙面光刻機和EVG光刻機;分別用於矽、氧化矽、金屬和III-V族半導體材料刻蝕的感應耦合電漿(ICP)刻蝕設備;電子束金屬蒸發設備、離子束濺射鍍膜設備、磁控濺射設備、...