電漿反應離子刻蝕系統

電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月15日啟用。

基本介紹

• 中文名：電漿反應離子刻蝕系統
• 產地：英國
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2005年9月15日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備

技術指標

最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率：100nm/min；刻蝕均勻性：±6% on 4” wafer；刻蝕選擇性：50:1 to AI，50:1 to Cr；微結構輪廓控制：89o-90o ● Si刻蝕 刻蝕速率：300nm/min；刻蝕均勻性：±5% on 4” wafer；刻蝕選擇性：7:1 to PR，14:1 to oxide；微結構輪廓控制：90o±2o ● Cr刻蝕 刻蝕速率：~20-100A/min；刻蝕均勻性：±5%（10）。

主要功能

材料刻蝕。