刻蝕系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2004年10月01日啟用。
刻蝕系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2004年10月01日啟用。技術指標工藝設定溫度：20-25度混合化學藥劑溶液：NH4F+HF溶液槽容量：10L。1主要功能設備配有排風管道，隨時抽走揮發性的酸鹼設備自動化程度高，...
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年4月30日啟用。技術指標 6英寸SiO2,刻蝕速率＞200nm/min,6英寸Si3N4,刻蝕速率＞200nm/min,6英寸Si,刻蝕速率＞1000nm/min;片內均勻性優於±3%，重複性...
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率：100nm/min；刻蝕均勻性：±6% on 4” wafer；刻蝕選擇性：50:1 to AI，50:1 to ...
乾法刻蝕系統是一種用於化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器，於2019年03月11日啟用。技術指標 功率使用範圍：0-600W 頻率 13.56MHz 精度±0.005％ 最小輸出功率 10W 最大輸出功率 500W 反射...
雙頻刻蝕系統是一種用於數學領域的分析儀器，於2004年3月1日啟用。技術指標 Helicon腔體腔體極限真空8.0E-4Pa功率: 上電極0.6-1.5kW 下電極0-100W氣體種類:SF6 C4F8 Ar O2 N2 He工藝壓力0.01-1Pa工藝時襯底溫度-30℃--60℃...
等離子刻蝕系統 等離子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2003年01月01日啟用。技術指標 極限真空3E-7T，6種工藝氣體，13.56MHz RF Power 分別是300W、1000W。主要功能 半導體工藝製造，金屬刻蝕。
ICP乾法刻蝕系統 ICP乾法刻蝕系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2006年8月1日啟用。技術指標 1*10-6pa。主要功能 ICP乾法刻蝕系統。
電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min；刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm)；刻蝕SiNx速度 20 nm/min；刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主...
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品；#11;(2)可選6-12 種氣體；#11;(3)可刻蝕多種材料，如可進行深矽刻蝕，...
雷射刻蝕進樣系統是一種用於化學、地球科學、礦山工程技術、冶金工程技術領域的分析儀器，於2014年12月31日啟用。技術指標 1 輸出能量＞4.5 mJ；15J/cm2 @200um 2 能量調節 光學衰減器 0-100%可調，0.1% 3 脈衝寬度 主要功能 ...
LKJ-150離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的核儀器，於2016年1月4日啟用。技術指標 （1）離子源離子源口徑：150mm（2）離子能量離子能量可調範圍：0~1000eV（3）離子束流 離子束流峰值密度：≥0.7mA/cm2（4）有效束徑：≥100...
矽深刻蝕系統 矽深刻蝕系統是一種用於統計學領域的分析儀器，於2016年12月1日啟用。技術指標 矽刻蝕角度90度正負5度。主要功能 孔徑2.5微米至1厘米，深寬比20：1。
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和...
反應例子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2014年4月21日啟用。技術指標 高選擇比各向異性刻蝕；具有全自動以及全手動操作模式可供調整；具有碰觸屏使數值輸入以及工藝配方的儲存更容易；最大可處理直徑8英寸晶片；...
感應耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2015年12月25日啟用。技術指標 六路帶MFC（非腐蝕性氣體）和截止閥的氣路Ar,，O2（大流量）, CF4,，N2， SF6，O2（小流量）， 二路帶MFC和旁路設計：CH4，H2 四路帶...
反應離子束刻蝕系統 反應離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2015年12月25日啟用。技術指標 配備了6路帶質量流量計的工藝氣路： SF6， CF4，CHF3，O2，N2, Ar。主要功能 刻蝕二氧化矽、氮化矽介質膜。
感應耦合等離子矽刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年6月8日啟用。技術指標 對矽基材料的微納結構刻蝕 -Etching and deposition of thin films -SiNx, SiO2, silicon, -RIE gases C4F8, O2, SF6, CHF3, Ar ...
感應耦合電漿刻蝕系統 感應耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2015年11月24日啟用。技術指標 均勻性優於5%。主要功能 化學氣相沉積SiO2和SiN。
雙工藝腔體電漿刻蝕系統 雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年1月15日啟用。技術指標 兩個工藝腔體,不均勻性4.64%。主要功能 刻蝕。
離子刻蝕系統配套升級是一種用於信息科學與系統科學領域的分析儀器，於2014年7月3日啟用。技術指標 100mm矽片,刻蝕速度：2微米/分鐘,光刻膠選擇比: 20:1,側壁角度：90+/-0.5deg，側壁粗糙度： 130nm，掩膜開始底部切口：每邊130...
離子刻蝕沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器，於2008年12月22日啟用。技術指標 背景真空: 10sup-7/supTorr；8路反應和刻蝕氣體；均有流量計精確控制；生長與刻蝕雙腔獨立；襯底工作溫度：700℃。主要功能 矽基半導體薄膜沉積與等離子...
DBC基板電路雷射雕刻及刻蝕系統 DBC基板電路雷射雕刻及刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年10月20日啟用。技術指標 聚焦點光束直徑25um，最細線寬50um。主要功能 陶瓷基板刻蝕。
離子刻蝕實驗測試系統 離子刻蝕實驗測試系統是一種用於天文學領域的分析儀器，於2014年5月29日啟用。技術指標 100mm矽片，刻蝕速度2微米/分鐘。主要功能 該機器可以將矽刻蝕的工藝最佳化。
一個選用濕刻蝕配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity)，意指進行刻蝕時，對被蝕物去除速度與連帶對其他材質 (如刻蝕掩膜；etching mask， 或承載被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的刻蝕系統，應該只...
聚焦離子束刻蝕沉積系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2010年11月18日啟用。技術指標 電子束電壓範圍：350 V—30 kV；離子束電壓範圍：500 V—30 kV 電子束解析度 @束交點：0.9 nm @ 15 kV，1.6 nm@ 5 kV，2.5 nm...
等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月20日啟用。技術指標 根據不同材料 成膜速率10nm/min 折射率良好 均勻度偏差小於5%。主要功能 製備高介電常數、均勻、緻密的...
但是該刻蝕技術不能獲得較高的選擇比，對表面的損傷大，有污染，難以形成更精細的圖形。工作原理 圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率...
前面提到的低溫刻蝕不會形成所謂“波紋”效應，因為低溫刻蝕不需要氣體轉換過程。而且由於系統中不引入鈍化氣體，在刻蝕腔體內壁不會形成氟化碳類聚合物的沉澱。在刻蝕系統方面，低溫刻蝕與Bosch刻蝕的區別僅在於一個需要低溫冷卻樣品基板，一...
