離子刻蝕系統配套升級是一種用於信息科學與系統科學領域的分析儀器，於2014年7月3日啟用。
離子刻蝕系統配套升級是一種用於信息科學與系統科學領域的分析儀器，於2014年7月3日啟用。技術指標100mm矽片,刻蝕速度：2微米/分鐘,光刻膠選擇比: 20:1,側壁角度：90+/-0.5deg，側壁粗糙度： 130n...
離子束刻蝕系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2005年10月1日啟用。技術指標 離子刻蝕系統由離子源、真空系統、反應室、氣路系統、水冷系統五大部分組成1．離子源口徑：Ф150mm2．有效離子束直徑：Ф100mm3.離子束流密度：≥1mA/cm24.離子能量：150eV～1000eV5．...
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率：100nm/min；刻蝕均勻性：±6% on 4” wafer；刻蝕選擇性：50:1 to AI，50:1 to Cr；微結構輪廓控制：89o-90o ● Si刻蝕 刻蝕速率：300nm/min；刻蝕均勻性：...
等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統 等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月20日啟用。技術指標 根據不同材料 成膜速率10nm/min 折射率良好 均勻度偏差小於5%。主要功能 製備高介電常數、均勻、緻密的絕緣層薄膜。
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上大於氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, ...
反應離子束刻蝕系統 反應離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2015年12月25日啟用。技術指標 配備了6路帶質量流量計的工藝氣路： SF6， CF4，CHF3，O2，N2, Ar。主要功能 刻蝕二氧化矽、氮化矽介質膜。
反應離子式深矽刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器，於2014年1月20日啟用。技術指標 1、適用於6寸（150mm）或8寸（200mm）矽片，同時兼容4寸（100mm）矽片； 2、反應腔體由整塊鋁錠製成，無焊接縫確保較低漏氣率：極限真空。主要功能 1. 靈活的射頻電漿源； 2. 適用於多種材料； 3. 多個...
離子刻蝕實驗測試系統 離子刻蝕實驗測試系統是一種用於天文學領域的分析儀器，於2014年5月29日啟用。技術指標 100mm矽片，刻蝕速度2微米/分鐘。主要功能 該機器可以將矽刻蝕的工藝最佳化。
聚焦離子束刻蝕沉積系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2010年11月18日啟用。技術指標 電子束電壓範圍：350 V—30 kV；離子束電壓範圍：500 V—30 kV 電子束解析度 @束交點：0.9 nm @ 15 kV，1.6 nm@ 5 kV，2.5 nm @ 1 kV 離子束解析度 @束交點：5.0 nm @30 kV。主要功能 聚焦離子束加工...
技術指標 刻蝕速率10m/min；光刻膠刻蝕選擇比100:1；SiO2刻蝕選擇比150:1；刻蝕均勻性±3%(100mm直徑)，±5%(150mm直徑)；重複性#177;3%；陡直度(90±1);扇貝尺寸100nm。主要功能 該設備是英國牛津電漿技術公司針對深矽刻蝕研製的新一代反應離子刻蝕系統，用於刻蝕高深寬比矽微結構。
刻蝕速率：≥ 10 nm ~ 200 nm /min (視具體刻蝕材料與工藝)； 4、離子源：Φ150mm口徑圓形直流離子源； 5、Ar+離子能量範圍： 100~1000 eV； 6、離子束流密度： 0~1 mA/cm2。主要功能 本設備具有微結構光電子器件樣品進行微米量級圖形曝光製作的能力，可以作為刻蝕系統的後套工序在襯底上形成精細圖形。
