反應例子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年4月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:反應例子刻蝕系統
- 產地:日本
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2014年4月21日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
反應例子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年4月21日啟用。
反應例子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年4月21日啟用。技術指標高選擇比各向異性刻蝕;具有全自動以及全手動操作模式可供調整;具有碰觸屏使數值輸入以及工藝配方的儲存更容易;最大可處理直徑8英...
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕機(PE)相區別,經常把低壓的、不對稱的平面反應器叫做反應性離子刻蝕機(RIE)。當然,電漿刻蝕正發生在流體上,離子不...
反應離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年06月17日啟用。技術指標 反應氣體:O2, Ar, CF4,CHF3,SF6 RF最大功率:300W;電極尺寸:240mm;刻蝕材料:矽基材料;最大晶片尺寸:4英寸。主要功能 主要...
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率:100nm/min;刻蝕均勻性:±6% on 4” wafer;刻蝕選擇性:50:1 to AI,50:1 to ...
反應離子束刻蝕系統 反應離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。技術指標 配備了6路帶質量流量計的工藝氣路: SF6, CF4,CHF3,O2,N2, Ar。主要功能 刻蝕二氧化矽、氮化矽介質膜。
1;刻蝕均勻性±3%(100mm直徑),±5%(150mm直徑);重複性#177;3%;陡直度(90±1);扇貝尺寸100nm。主要功能 該設備是英國牛津電漿技術公司針對深矽刻蝕研製的新一代反應離子刻蝕系統,用於刻蝕高深寬比矽微結構。
等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月20日啟用。技術指標 根據不同材料 成膜速率10nm/min 折射率良好 均勻度偏差小於5%。主要功能 製備高介電常數、均勻、緻密的...
2014年11月6日,《包含多個處理平台的去耦合反應離子刻蝕室》獲得第十六屆中國專利優秀獎。(概述圖為《包含多個處理平台的去耦合反應離子刻蝕室》摘要附圖)專利背景 在半導體晶片的製作過程中,通常會採用兩類半導體晶片處理系統。第一類...