雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年1月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:雙工藝腔體電漿刻蝕系統
- 產地:美國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2013年1月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年1月15日啟用。
雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年1月15日啟用。技術指標兩個工藝腔體,不均勻性4.64%。1主要功能刻蝕。1...
電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min;刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm);刻蝕SiNx速度 20 nm/min;刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主...
刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的核心結構,它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有:上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。(3)供氣系統 供氣系統是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體,...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和...
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率:100nm/min;刻蝕均勻性:±6% on 4” wafer;刻蝕選擇性:50:1 to AI,50:1 to ...
雙頻刻蝕系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2004年3月1日啟用。技術指標 Helicon腔體腔體極限真空8.0E-4Pa功率: 上電極0.6-1.5kW 下電極0-100W氣體種類:SF6 C4F8 Ar O2 N2 He工藝壓力0.01-1Pa工藝時襯底溫度-30℃--60℃...
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品;#11;(2)可選6-12 種氣體;#11;(3)可刻蝕多種材料,如可進行深矽刻蝕,...
感應耦合電漿刻蝕系統 感應耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月24日啟用。技術指標 均勻性優於5%。主要功能 化學氣相沉積SiO2和SiN。