介質電漿刻蝕設備是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2019年4月29日啟用。
基本介紹
- 中文名:介質電漿刻蝕設備
- 產地:中國
- 學科領域:信息科學與系統科學、電子與通信技術
- 啟用日期:2019年4月29日
- 所屬類別:分析儀器 > 質譜儀器
介質電漿刻蝕設備是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2019年4月29日啟用。
介質電漿刻蝕設備是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2019年4月29日啟用。技術指標儀器儀表,計量標準器具及量具,衡器。1主要功能使用基於物理轟擊和化學腐蝕相結合的手段,進行薄膜材料的刻蝕...
高密度電漿刻蝕是當今超大規模積體電路製造過程中的關鍵步驟。已經開發出許多終點檢測技術,終點檢測設備就是為實現刻蝕過程的實時監控而設計的。光學發射 光學發射光譜法(OES)是使用最為廣泛的終點檢測手段。其原理是利用檢測電漿中...
刻蝕設備的發展和光刻技術,互連技術密切相關。High K / Low K材料,銅互連,Metal Gate,double Pattern等技術的發展都對刻蝕設備提出了新的需求·設備發展趨勢 在200mm晶圓時代;介質、多晶以及金屬刻蝕是刻蝕設備的三大塊。進入300mm...
《電漿刻蝕工藝及設備》是2023年電子工業出版社出版的圖書,作者是趙晉榮。內容簡介 本書以積體電路領域中的電漿刻蝕為切入點,介紹了電漿基礎知識、基於電漿的刻蝕技術、電漿刻蝕設備及其在積體電路中的套用。全書共8章...
自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料,...
等離子設備主要適用於各種材料的表面改性處理:表面清洗、表面活化、表面刻蝕、表面接枝、表面沉積、表面聚合以及電漿輔助化學氣相沉積:表面改性 紙張粘合,塑膠粘接、金屬錫焊、電鍍前的表面處理 表面活化 生物材料的表面修飾,印刷塗布或...
《包含多個處理平台的去耦合反應離子刻蝕室》是中微半導體設備(上海)有限公司於2007年6月20日申請的發明專利,該專利的申請號為2007100422855,公布號為CN101076219,公布日為2007年11月21日,發明人是尹志堯、倪圖強、陳金元、錢學煜。一...
感應耦合電漿刻蝕設備 感應耦合電漿刻蝕設備是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2013年12月1日啟用。技術指標 均勻性<3%。主要功能 刻蝕。
表1 刻蝕氣體和主要刻蝕薄膜 設備 典型的(平行板)RIE系統包括圓柱形真空室,晶片盤位於室的底部。晶片盤與腔室的其餘部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入,並通過底部離開真空泵系統。所用氣體的類型和數量取決於蝕刻工藝;例如,...
反應離子刻蝕是當前套用很廣泛的刻蝕技術,在很低的氣壓下通過反應氣體在射頻電場作用下輝光放電產生電漿,實現離子的物理轟擊濺射和活性粒子的化學反應,從而完成高精度的圖形刻蝕。具有各向異性好、選擇比高、大面積刻蝕均勻性好等優勢,...
主要功能 設備主要用於金屬薄膜或絕緣薄膜的刻蝕,以圖形化出需要的圖形。 該設備使用電漿狀態下氣體的化學活性要比在常態下強很多倍的特點,根據刻蝕材料的不同,選擇不同的氣體,就能很快與被刻蝕材料進行反應,從而實現刻蝕的目的。
電漿刻蝕工藝也變得越來越重要。電漿刻蝕與光刻工藝共同形成了半導體領域的圖形化工藝模組,推動積體電路領域的工藝發展。衡量電漿刻蝕性能的參數一般包括刻蝕速率、刻蝕選擇比、刻蝕形貌以及特徵尺度及設備尺度的刻蝕均勻性。
某種程度來講,等離子清洗實質上是電漿刻蝕的一種較輕微的情況。進行乾式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入並與電漿進行交換。電漿在工件表面發生反應,反應的揮發性副產物被...
同時該下層上電極26使用的電介質材料選擇相對耐電漿腐蝕的材料,能夠保護上層上電極25不被刻蝕或是被生成的電漿腐蝕。運用於該實施例所述電漿裝置的電漿處理方法,與實施例1中相同,首先在真空處理腔室10內引入反應氣體;在...
乾法刻蝕系統是一種用於化學、信息與系統科學相關工程與技術、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2019年03月11日啟用。技術指標 功率使用範圍:0-600W 頻率 13.56MHz 精度±0.005% 最小輸出功率 10W 最大輸出功率 500W 反射...
電漿沉積薄膜可以作為反滲透膜(此種膜對通過的海水有較好的脫鹽效果)。此外,低氣壓電漿可用於金屬固體表面加工。例如,電漿刻蝕是利用輝光放電在氣體中產生反應性氣體,並與固體表面材料化合成揮發性物質,而在表面刻蝕出圖象。
低氣壓電漿發生器已日益廣泛套用於電漿聚合、製備薄膜、刻蝕、清洗等表面處理工藝中。成功的例子如:在半導體製作工藝中,採用氟里昂電漿乾腐蝕,用離子鍍法在金屬表面生成氮化鈦膜等。70年代以來,低氣壓電漿對非金屬固體...
優點是選擇性好、重複性好、生產效率高、設備簡單、成本低 缺點是:鑽刻嚴重、對圖形的控制性較差,不能用於小的特徵尺寸;會產生大量的化學廢液 乾法刻蝕種類很多,包括光揮發、氣相腐蝕、電漿腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分,...
現代化的乾法刻蝕設備包括複雜的機械、電氣和真空裝置,同時配有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置。因此這種工藝的設備投資是昂貴的。乾法刻蝕也可以根據被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分,刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質刻蝕、和矽刻蝕...
因此在於法刻蝕工藝中反應性離子刻蝕得到廣泛套用。反應性離子刻蝕特點及設備 套用了基子和離子碰撞的平面式反應器也被使用。至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻...