等離子[體]刻蝕是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：等離子[體]刻蝕
- 外文名：plasma etching
- 所屬學科：電子學_電子元器件工藝與分析技術
- 發布時間：1993年
發布時間,出處,
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等離子[體]刻蝕
相關詞條
- 等離子[體]刻蝕
等離子[體]刻蝕 等離子[體]刻蝕是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。發布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》
- 等離子刻蝕
等離子刻蝕 等離子刻蝕，一種採用等離子的乾法蝕刻技術。通常使用較高壓力及較小的射頻功率，晶片表面層原子或分子與等離子氣氛中的活性原子接觸並發生反應，形成氣態生成物而離開晶面造成蝕刻。
- 等離子刻蝕機
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是乾法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面...
- 乾法刻蝕
乾法刻蝕是用電漿進行薄膜刻蝕的技術。當氣體以電漿形式存在時，它具備兩個特點：一方面電漿中的這些氣體化學活性比常態下時要強很多，根據被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進行反應，實現刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場對電漿進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊...
- 電漿反應離子刻蝕系統
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率：100nm/min；刻蝕均勻性：±6% on 4” wafer；刻蝕選擇性：50:1 to AI，50:1 to Cr；微結構輪廓控制：89o-90o ● Si刻蝕 刻蝕速率：300nm/min；刻蝕均勻性：...
- 深電漿刻蝕技術
深電漿刻蝕，也稱大深寬比刻蝕(High Aspect Ratio Etching,HARE)，一般是選用Si作為刻蝕微結構的加工對象，它有別於VLSI 中的矽刻蝕，因此又稱為先進矽刻蝕(Advanced Silicon Etching,ASE) 工藝。它由於採用了感應棚合電漿(Inductively CupledPlasma.ICP),所以與傳統的反應離子刻蝕(RIE)、電子迴旋共振(ECR)...
- 電漿刻蝕系統
電漿刻蝕系統 電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min；刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm)；刻蝕SiNx速度 20 nm/min；刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主要功能 刻蝕SiO2和SiNx。
- 等離子刻蝕速率
等離子刻蝕速率是指等離子刻蝕過程去除晶片表面不需要材料的速度，刻蝕速率正比於蝕劑濃度，與晶片表面形狀等因素有關。等離子刻蝕速率 什麼是刻蝕 刻蝕是採用化學或物理方法有選擇地從晶片表面去除不需要材料的過程。刻蝕目的：在塗膠的晶片表面上正確的複製掩膜圖形。什麼是物理乾法刻蝕 目前刻蝕採用的物理方法是使用等離子...
- 電漿刻蝕工藝及設備
《電漿刻蝕工藝及設備》是2023年電子工業出版社出版的圖書，作者是趙晉榮。內容簡介 本書以積體電路領域中的電漿刻蝕為切入點，介紹了電漿基礎知識、基於電漿的刻蝕技術、電漿刻蝕設備及其在積體電路中的套用。全書共8章，內容包括積體電路簡介、電漿基本原理、積體電路製造中的電漿刻蝕工藝、...
- 離子銑
氬原子通過擴散篩進入等離子腔體內。電磁場環繞電漿腔，磁場使電子在圓形軌道上運動，這種循環運動使得電子與氬原子產生多次碰撞，從而產生大量的正氬離子，正氬離子被從格柵電極的電漿源中引出並用一套校準的電極來形成高密度束流（圖1）。一個高壓加速格柵把離子能量加至2.5keV。圖1 離子束刻蝕機的原理 ...
- 反應性離子刻蝕
與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕機(PE)相區別，經常把低壓的、不對稱的平面反應器叫做反應性離子刻蝕機(RIE)。當然，電漿刻蝕正發生在流體上，離子不再是主要的刻蝕劑。我們想用離子束輔助基子刻蝕(IBARE)這個名字來代替反應性離子刻蝕。在IBARE中，獨立地控制溫度和離子流量是困難的。這就是報導關於...
- 電感耦合電漿刻蝕系統
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品；#11;(2)可選6-12 種氣體；#11;(3)可刻蝕多種材料，如可進行深矽刻蝕，刻蝕SiO2、SiNx等。主要功能 電感耦合電漿刻蝕系統由於具有邊刻蝕邊進行側壁...
- 電漿化學氣相沉積及刻蝕系統
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和600W各一台 氣路系統：不低於6路 刻蝕均勻性：≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
- 等離子刻蝕系統
等離子刻蝕系統 等離子刻蝕系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2003年01月01日啟用。技術指標 極限真空3E-7T，6種工藝氣體，13.56MHz RF Power 分別是300W、1000W。主要功能 半導體工藝製造，金屬刻蝕。
- 等離[子]體刻蝕
等離[子]體刻蝕 等離[子]體刻蝕是2019年全國科學技術名詞審定委員會公布的名詞。發布時間 2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》 (第三版)
- 反應離子刻蝕
由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為電漿, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由於陰極附近的電場方向垂直於陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得...
- 刻蝕工藝
在這個過程中，可以控制的參數包括溶液的配比、溫度、反應時間等，但總體而言，濕法工藝的控制能力較差，因為它是一種化學反應，缺乏各向異性，即橫向和縱向的刻蝕速率基本一致。因此，到目前為止，濕法刻蝕通常只在一些非關鍵尺寸的任務中使用，而在關鍵尺寸的任務中，通常採用乾法工藝。乾法刻蝕工藝是採用電漿進行...
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自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料，其它Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等。3. 刻蝕速率: 0.01~ 2μ/min（據不同...
- 雙工藝腔體電漿刻蝕系統
雙工藝腔體電漿刻蝕系統 雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年1月15日啟用。技術指標 兩個工藝腔體,不均勻性4.64%。主要功能 刻蝕。
- 電漿的工業套用
用電漿處理聚酯織物，可以改變表面浸潤性。對塑膠表面進行處理或聚合膜層，可以改善表面粘性，改變浸潤性等。電漿沉積薄膜可以作為反滲透膜(此種膜對通過的海水有較好的脫鹽效果)。此外，低氣壓電漿可用於金屬固體表面加工。例如，電漿刻蝕是利用輝光放電在氣體中產生反應性氣體，並與固體表面材料化合成...
- 電感耦合電漿刻蝕機
電感耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2014年6月24日啟用。技術指標 Model type: Plasmalab 100-ICP180; Frequency: 50Hz； Rated Voltage：415 VAC 3 Max Rated Input Current：42Amps interrupt Current: 6KA。主要功能 氧化矽、氮化矽介質與氮化鈦金屬刻蝕。
- 介質電漿刻蝕設備
介質電漿刻蝕設備 介質電漿刻蝕設備是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2019年4月29日啟用。技術指標 儀器儀表，計量標準器具及量具，衡器。主要功能 使用基於物理轟擊和化學腐蝕相結合的手段，進行薄膜材料的刻蝕減薄，以及微納加工的圖形化工藝。
- 脈衝調製電漿增強原子層刻蝕多尺度研究
在半導體積體電路製造中，電漿刻蝕工藝具有高選擇性、高各項異性、高刻蝕速率的優勢。然而，隨著微電子製造集成度越來越高，工業中超微細結構需要的刻蝕尺寸越來越小，電漿刻蝕技術面臨極大的挑戰。微電子工業電漿刻蝕面臨的仍然是特徵尺度的減小和深寬比增大所帶來的刻蝕不均勻性以及低刻蝕效率的問題。傳統的...
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《粉塵在電漿中沉降時的刻蝕動力學研究》是依託華中科技大學，由尹盛擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 研製新的刻蝕反應室，使粉粒能均勻拋撒和自動回流重新拋撒進入反應區、具有大的落程。用氣流反吹等進一步增加粉粒的懸浮時間，改變參數使鞘層增大，中性區減少甚至消失，使粉粒沉降時總處於離子能量高的鞘層...
- 電感耦合等離子刻蝕系統
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年4月30日啟用。技術指標 6英寸SiO2,刻蝕速率＞200nm/min,6英寸Si3N4,刻蝕速率＞200nm/min,6英寸Si,刻蝕速率＞1000nm/min;片內均勻性優於±3%，重複性優於±3%。主要功能 刻蝕Si,SiO2,Si3N4,III v族元素材料。
- 感應耦合電漿刻蝕系統
感應耦合電漿刻蝕系統 感應耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2015年11月24日啟用。技術指標 均勻性優於5%。主要功能 化學氣相沉積SiO2和SiN。
- 碳氟性電漿的放電機理和刻蝕過程的研究
《碳氟性電漿的放電機理和刻蝕過程的研究》是依託大連理工大學,由趙書霞擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 為了滿足國內和國際微電子企業對刻蝕工藝性能最佳化的苛刻要求，需要從微觀角度詮釋電漿內部放電細節以及其與材料表面的相互作用。本項目擬採用二維自洽流體力學和流體與粒子混合模型為主，朗繆爾和...
- 高密度等離子刻蝕機
高密度等離子刻蝕機 高密度等離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年10月1日啟用。技術指標 1、可加工片子尺寸：Ф150mm以內。 2、均勻性：±5% (4英寸矽片內)。主要功能 薄膜材料刻蝕與加工。
