聚焦離子束刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2016年6月13日啟用。
基本介紹
- 中文名:聚焦離子束刻蝕系統
- 產地:德國
- 學科領域:信息與系統科學相關工程與技術
- 啟用日期:2016年6月13日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備 > 電加工工藝實驗設備
聚焦離子束刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2016年6月13日啟用。
聚焦離子束刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2016年6月13日啟用。技術指標1、可以沉積Pt、SiO2, 同時可以加速刻蝕有機物;2、離子束解析度優於5nm,加速電壓0-30KV;3、...
聚焦離子束刻蝕沉積系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年11月18日啟用。技術指標 電子束電壓範圍:350 V—30 kV;離子束電壓範圍:500 V—30 kV 電子束解析度 @束交點:0.9 nm @ 15 kV,1.6 nm@ 5 kV,2.5 nm...
《基於聚焦離子束刻蝕的三維表面等離子納米結構的研究》是依託東北大學,由司光遠擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 以聚焦離子束刻蝕系統為製備工具,研究通過使用簡單的橫向和縱向或±45°兩次刻蝕的方法得到三維表面電漿納米...
第一節 聚焦離子束(FIB)無掩模離子注入 一、常規離子注入與FIB離子注入 二、常規離子注入技術 三、FIB離子注入技術 四、FIB離子注入技術的優缺點 第二節 聚焦離子束濺射刻蝕加工(FIB銑削)一、濺射產額與影響產額的主要因素 二、FIB輔助...
考慮電子的中和作用建立雙束融合模型;然後研究同步加工束品質與庫侖力之間的關係,並通過雙束同步平台測量束斑進行實驗驗證;最後利用蒙特卡羅法研究同步加工束與樣品的碰撞過程,結合具體樣品的刻蝕實驗結果,找到離子庫侖力-同步加工束品質...
離子光學系統主要包括聚焦成像的靜電透鏡系統、束對中器、消像散器、質量分析器和束偏轉器等。輔助氣體系統指在FIB中通入不同種類的輔助氣體,可以實現以下兩種主要的用途:①輔助氣體刻蝕:通人某些反應氣體,如Cl₂、I₂、Br₂等...
反應離子束刻蝕是離子束刻蝕技術的進一步發展,不但消除了再澱積現象,在刻蝕的選擇性和刻蝕速率方面也有很大提高。圖3是離子束刻蝕機的示意圖。在離子源中,惰性氣體氬(壓強為1~10-2帕)被電離而形成電漿,引出加速系統是一組具有...
最小束斑直徑1μm(2 kV); (3) 最大束流1 mA/cm2; (4) 離子束刻蝕傾角-10° ~ +10°; (5) 可在室溫或低溫模式(最低至-170 ℃)下工作; (6) 計算機控制、全程式化、使用方便; (7) 無污染乾式真空系統; (8...
離子束加工是利用離子源中電離產生的離子,引出後經加速、聚焦形成離子束,向真空室的工件表面進行衝擊,以其動能進行加工的,它主要用於離子束注入、刻蝕、曝光、清潔和鍍膜等方面。離子束加工具有以下特點:1、離子束可以通過電子光學系統...
學院下設微納光學公共平台,擁有電子束刻蝕系統(EBL)、聚焦離子束刻蝕系統(FIB)、感應耦合等離子刻蝕機(ICP)、原子層沉積系統(ALD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)等精密微納加工、表征和測試設備,面向學院全體教師...
電子束蒸發設備(2套)、離子束濺射機、離子束刻蝕機、等離子增強化學氣相沉積設備、金屬反應離子刻蝕設備、介質反應離子刻蝕設備、深矽刻蝕系統(2套)、微電鑄/電鍍系統、OLED器件實驗製備系統、基片拋磨設備、砂輪切片系統、場發射掃描...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合電漿刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...
8.3 乾法刻蝕之一:反應離子刻蝕 8.3.1 反應離子刻蝕的原理 8.3.2 反應離子刻蝕的工藝參數 8.4 乾法刻蝕之二:反應離子深刻蝕 8.4.1 電感耦合電漿刻蝕系統 8.4.2 Bosch工藝 8.4.3 納米結構的深刻蝕 8.4.4 反應離子...
9.2乾法刻蝕圖形轉移技術148 9.2.1反應離子刻蝕148 9.2.2反應離子刻蝕的工藝參數150 9.3反應離子深刻蝕151 9.3.1電感耦合電漿刻蝕系統151 9.3.2Bosch工藝152 9.3.3反應離子深刻蝕中存在的問題152 9.4等離子刻蝕153 9.5...