離子束顯微鏡

離子束顯微鏡

離子束顯微鏡包括液相金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、5 -7軸向移動的試片基座、真空系統、抗振動和磁場的裝置、電子控制臺和計算機等硬設備。外加電場可使液態鎵形成細小尖端,再加上負電場牽引尖端的鎵,而導出鎵離子束被電透鏡聚焦,經過一連串變化孔徑(Automatic VariableMEMS 加工技術Aperture,AVA) 決定離子束的大小,再經過二次聚焦至試片表面,利用物理碰撞來達到切割之目的。

基本介紹

  • 中文名:離子束顯微鏡
  • 外文名:Ion beam microscopy
  • 設備組成:相金屬離子源、電透鏡、掃描電極
  • 特點:使用離子束作為入射源
  • 作用:定點切割
  • 套用:納米尺度的微機構的製備或分析
聚焦離子束工藝,聚焦離子束工作原理和構造,離子束顯微鏡的基本功能,套用範圍,

聚焦離子束工藝

聚焦離子束(Focused Ion Beam) 是利用離子束作為入射源,能對材料進行分析或加工的一類儀器。商用系統的粒子東大多為液相金屬Ga 離子源(liquid Metal lonSource,LMIS),因為鎵元素具有低熔點、低蒸氣壓及良好的抗氧化力等優點。FIB具有多種功能,既可以獲得樣品的顯微照片,也可以切割樣品或在樣品上選擇性的澱積新的結構。

聚焦離子束工作原理和構造

FIB系統主要由離子源、離子光學系統、二次粒子探測器、真空系統和輔助氣體系統組成。商用機型有單束( single beam)和雙束(dual beam,離子束+電子束)兩類。商用系統的離子源為液相金屬離子源(liquid metal Ion source,LMIS),金屬材質為鎵(Gallium,Ga),因為鎵元素具有低熔點、低蒸氣壓及良好的抗氧化力。離子光學系統主要包括聚焦成像的靜電透鏡系統、束對中器、消像散器、質量分析器和束偏轉器等。輔助氣體系統指在FIB中通入不同種類的輔助氣體,可以實現以下兩種主要的用途:
①輔助氣體刻蝕:通人某些反應氣體,如Cl2、I2、Br2等,就能改變靶材表面的束縛能,或者直接與靶材表面起化學反應,從而大大提高離子束的濺射產額。
②誘導沉積:根據要求沉積的材料不同,選擇不同的誘導氣體,如W(Co)6、WF6、Al(CH3)3等。誘導氣體以單分子層的形式吸附在固體材料表面,入射離子束的轟擊致使吸附氣體分子分解,將金屬材料留在固體表面。商用FIB系統常用的氣體輔助氣體沉積導體如鎢或白金,在IC失效分析中主要用於金屬線連線、測試鍵生長。
FIB的原理與SEM相似,主要差別在於FIB使用離子束作為入射源,FIB的外加電場作用於液態金屬離子源,使液態金屬或合金形成細小尖端,再加上負電場牽引尖端的技術或合金,導出離子束,通過靜電透鏡聚焦,經過一連串可變化孔徑改變離子束大小,然後用質量分析器篩選出所要的離子種類,最後通過八極偏轉裝置及物鏡將離子束聚焦在樣品上並掃描,離子束轟擊樣品,產生二次電子和離子被收集作為影像的來源,或用物理碰撞來實現切割”。而離子束比電子具大電量及質量,當其入射到固態樣品上時會造成一連串的撞擊及能量傳遞,且在樣品表面發生氣化、離子化等現象,並濺出中性原子、離子、電子及電磁波,收集離子束轟擊樣品產生的二次電子和二次離子,獲得聚焦離子束顯微圖像。

離子束顯微鏡的基本功能

(1)定點切割(precisional cutting):利用離子的物理碰撞來達到切割的目的。廣泛套用於積體電路(1C)和I,CD的Cross Section加工和分析。
(2)選擇性的材料蒸鍍(selective deposition):以離子束的能量分解有機金屬蒸氣或氣相絕緣材料,在局部區域作導體或非導體的沉積,可提供金屬和氧化層的沉積(metal andTEOS de-position).常見的金屬沉積有鉑(Platinum,Pt)和鎢(Tungstun,W)二種,套用於線路修補、設計糾錯等。
(3)強化性刻蝕或選擇性刻蝕(enhanced etching-iodine/selective etching-XeF2):輔以腐蝕性氣體,加速切割的效率或線路修補時做選擇性的材料去除。
(4) FIB也能夠產生二次電子,因此FIB也可以利用PVC技術,圖1機理同SEM電壓襯度。聚焦離子束( FIB)具有許多獨特且重要的功能,已廣泛地套用於半導體工業,其特性在於能將以往在半導體設計、製造、檢測及故障分析上的許多困難、耗時或根本無法達成的問題一一解決。例如線路修補和布局驗證,組件故障分析,生產線製程異常分析,lC製程監控—例如光阻切割,透射電子顯微鏡樣品製作等。
離子束顯微鏡
圖1 生產機理

套用範圍

聚焦式離子束顯微鏡廣泛套用於半導體電子產業及IC 工業上,其主要的套用可分為以下五大類:1、IC線路修補和布局驗證;2、透射電子顯微鏡(TEM) 試片製作;3、組件故障觀察與分析;4、 生產線流程異常分析;5、IC流程監控等。在MEMS加工領域,FIB更多的用於納米尺度的微機構的製備或分析。

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