高真空離子束測射系統

高真空離子束測射系統是一種用於物理學領域的分析儀器，於2007年7月21日啟用。

基本介紹

• 中文名：高真空離子束測射系統
• 產地：中國
• 學科領域：物理學
• 啟用日期：2007年7月21日
• 所屬類別：分析儀器 > 顯微鏡及圖象分析儀器 > 光學顯微鏡

技術指標

系統極限真空：≤1×10-4Pa;濺射離子源：離子能量：1000-4000eV；離子束流：60mA;襯底基片台：離子束濺射室上安裝有樣品加熱、水冷轉盤。可分別放置四塊樣品，樣品尺寸最大為Ф30mm。配有樣品擋板。

主要功能

單室結構的高真空多功能離子束濺射鍍膜設備，可用於開發納米級的單層及多層功能膜：各種硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等。廣泛套用於超導，陶瓷機械，耐蝕，催化等領域的表面改性。