《一種電漿刻蝕工藝中的終點檢測的新概念和技術》是依託清華大學，由蒲以康擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：一種電漿刻蝕工藝中的終點檢測的新概念和技術
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：蒲以康
- 項目類別：面上項目
- 批准號：10075030
- 申請代碼：A2903
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2001-01-01 至 2003-12-31
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
等離子刻蝕被廣泛套用在半導體器件的生產工藝中，而刻蝕工藝過程中的終點檢測被認為是一項關鍵技術，本項目提出了一種新的用半導體雷射二極體的雷射誘發螢光技術，用來檢測電漿中相關粒子的濃度變化，而達到終點檢測的目的。該技術將有靈敏度高、可靠性好、成本低等優點，將對我國半導體工業中刻蝕工藝的可靠性的提高起到重大作用。
