全自動型電感耦合電漿刻蝕機是一種用於航空、航天科學技術領域的科學儀器,於2011年12月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:全自動型電感耦合電漿刻蝕機
- 產地:中國
- 學科領域:航空、航天科學技術
- 啟用日期:2011年12月21日
全自動型電感耦合電漿刻蝕機是一種用於航空、航天科學技術領域的科學儀器,於2011年12月21日啟用。
全自動型電感耦合電漿刻蝕機是一種用於航空、航天科學技術領域的科學儀器,於2011年12月21日啟用。技術指標低電容耦合線圈設計;電漿增強型PVD特種材料的塗層。1主要功能電漿刻蝕。1...
全自動感應耦合電漿蝕刻機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2008年3月10日啟用。技術指標 極限真空:2′10-4Pa;刻蝕均勻性:=<±5;電極尺寸:F200mm。主要功能 主要對半導體等無機和金屬薄膜進行微圖形刻蝕加工。
自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料,...
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品;#11;(2)可選6-12 種氣體;#11;(3)可刻蝕多種材料,如可進行深矽刻蝕,...
2.2.2 感性耦合電漿24 2.2.3 電子迴旋共振電漿30 參考文獻31 第3章 積體電路製造中的電漿刻蝕工藝33 3.1 電漿刻蝕的發展33 3.1.1 傳統電漿刻蝕35 3.1.2 脈衝電漿刻蝕36 3.1.3...
ICP刻蝕機 ICP刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年3月2日啟用。技術指標 TCP刻蝕機的刻蝕解析度:100nm;基片尺寸:2英寸、4英寸。主要功能 用於Si、GaN、藍寶石等材料的乾法蝕刻。
在半導體加工過程中,進入反應腔室4的工藝氣體被上方的電感耦合線圈3電離形成電漿,生成的電漿刻蝕晶片5表面的材質。系統中分子泵抽出反應腔室4中的氣體。在這一過程中,使氣體產生電離形成電漿的射頻功率來自於電感耦合線圈3,...