感應耦合等離子刻蝕設備

感應耦合等離子刻蝕設備是一種用於信息科學與系統科學、物理學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2016年1月26日啟用。

基本介紹

• 中文名：感應耦合等離子刻蝕設備
• 產地：英國
• 學科領域：信息科學與系統科學、物理學、材料科學、能源科學技術
• 啟用日期：2016年1月26日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

ICP離子源：0-3000W RF射頻源：0-600W 樣品尺寸：6英寸、4英寸、2英寸及碎片 基底刻蝕溫度：-20℃-30℃可調 刻蝕氣體：BCl3、Cl2、SF6、Ar、O2、CHF3 可刻蝕材料包括：GaN、Al2O3、SiO2、Si3N4等。

主要功能

ICP刻蝕主要通過高頻輝光放電反應，將反應氣體解離為活性粒子，轟擊刻蝕材料，同時與刻蝕材料進行反應來實現刻蝕。主要用於GaN、Al2O3、SiO2、Si3N4等材料的刻蝕。