等離子刻蝕沉積台是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年3月1日啟用。
等離子刻蝕沉積台是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年3月1日啟用。技術指標設備包含至少一個刻蝕腔、一個沉積腔及一個傳送腔；刻蝕腔可以用於刻蝕矽晶圓；沉積腔可以用於沉積SiO2；可以刻蝕/沉積4寸晶圓；...
等離子體化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和600W各一台 氣路系統：不低於6路 刻蝕均勻性：≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
Cr、Ti、Ni、Cu、W、SiO2、各種介質膜、金屬膜、合金膜等； 濺射樣片台加熱溫度：600℃； 濺射不均勻性：≤±4%。主要功能 該設備具有刻蝕和濺射功能，主要從事半導體設備、微細加工設備的產品研製、設計，並開展相關工藝的研究及套用。產品套用範圍涉及微電子、光電子、LED、MEMS、感測器、平板顯示、通訊等領域。
1:雙區進氣+additional Gas：Additional Gas的目的是通過調節內外區敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性，結果比較明顯。2:等離子體技術：電漿密度和能量單獨控制 3:電漿約束：減少Particle，提高結果重複性 4:工藝組件：適應不同工藝需求，對應不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同的Focus Ring 5: Narrow Gap...
等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統 等離子增強化學氣相沉積系統與反應離子刻蝕系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月20日啟用。技術指標 根據不同材料 成膜速率10nm/min 折射率良好 均勻度偏差小於5%。主要功能 製備高介電常數、均勻、緻密的絕緣層薄膜。
OPS Plasma專注於等離子表面處理，集設備開發與設備製造、工藝開發與方案解決為一體，為各行業提供高效、節能、環保的等離子表面處理方案，包括等離子清洗、等離子活化、等離子改性、等離子接枝與聚合、等離子刻蝕、等離子沉積等。公司簡介 OPS Plasma的創始人在德期間積累了豐富的設計開發經驗，研發團隊擁有10年以上的等離子...
OPS Plasma專注於等離子表面處理，集設備開發與設備製造、工藝開發與方案解決為一體，為各行業提供高效、節能、環保的等離子表面處理方案，包括等離子清洗、等離子活化、等離子改性、等離子接枝與聚合、等離子刻蝕、等離子沉積等。公司簡介 OPS Plasma的創始人在德Frauhafer Institute期間積累了豐富的設計開發經驗，研發團隊擁有...
《碳氟性等離子體的放電機理和刻蝕過程的研究》是依託大連理工大學,由趙書霞擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 為了滿足國內和國際微電子企業對刻蝕工藝性能最佳化的苛刻要求，需要從微觀角度詮釋電漿內部放電細節以及其與材料表面的相互作用。本項目擬採用二維自洽流體力學和流體與粒子混合模型為主，朗繆爾和...
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，產地為英國，於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
其正離子經高壓（1～5 kV）電場加速轟擊工件而沉積在工件表面。氬正離子有清洗工件表面作用，可使膜層附著力大為提高。類似的方法還有活性離子蒸鍍、高頻離子蒸鍍、空心陰極離子蒸鍍等。（4）離子刻蝕：工作原理與陰極濺射類似，但更精細，設備更複雜。工作氣體通常用氬氣。由於氬離子直徑只有零點幾納米，可以認為...
容性耦合等離子體源已被廣泛套用於微電子工業中的材料刻蝕、薄膜沉積等工藝過程。目前，隨著晶元尺寸的不斷增大，以及驅動頻率的逐漸升高，電磁效應（駐波效應、趨膚效應和邊緣效應等）將會對電漿空間均勻性產生嚴重影響。本項目針對甚高頻容性耦合電漿放電，採用多種實驗診斷手段（發卡探針、全懸浮雙探針，磁探針...
Bosch工藝是指在積體電路製造中為了阻止或減弱側向刻蝕，設法在刻蝕的側向邊壁沉積一層刻蝕薄膜的工藝。因最早由Robert Bosch提出，亦被稱為Bosch工藝。術語介紹 1993年，Robert Bosch提出了一種ICP刻蝕工藝技術，被稱作“Bosch 工藝”。這種工藝首先採用氟基活性基團進行矽的刻蝕，然後進行側壁鈍化，刻蝕和保護兩步工藝...
深圳市鑫志尚電子有限公司半導體儀器行銷事業群代理的設備包括半導體檢測設備：I-V/C-V參數測試儀，網路分析儀，雷射系統，金相顯微鏡，EMMI微光顯微鏡，X射線，C-SAM超音波探測，電子顯微鏡 。晶圓工藝設備：晶圓鍵合，去膠，沉積，等離子刻蝕，擴散,氧化爐，勻膠機，光刻機，磁控濺射機台，電子束蒸渡機。深圳市鑫...
薄膜沉積設備 Denton電子束蒸發鍍膜設備 Denton多靶磁控濺射鍍膜系統 HARRICK等離子清洗機 微納圖形加工設備 Zeiss Auriga場發射電子束/聚焦離子束雙束系統 測試設備 KLA-Tencor P7 台階儀 薄膜II區 薄膜沉積設備 Oxford 電漿增強化學氣相沉積系統 刻蝕設備 Sentech ICP反應離子刻蝕機（用於金屬薄膜）NMC ICP反應離子...
一方面開展微納加工的新穎工藝和儀器設備研發，倡導未來工藝和設備的預研工作，並引導國家在微納電子領域科研的發展方向，主導有關微納加工的國際標準的制定和認證。現有設備 ALD原子層沉積 ICP 電感耦合等離子刻蝕 濺射（磁控濺射）電子束蒸發 雙面光刻設備 掃描電鏡、台階儀 封裝、檢測設備等 地理環境 ...
濺射工藝主要用於濺射刻蝕和薄膜澱積兩個方面。濺射刻蝕時，被刻蝕的材料置於靶極位置，受氬離子的轟擊進行刻蝕。刻蝕速率與靶極材料的濺射產額、離子流密度和濺射室的真空度等因素有關。濺射刻蝕時，應儘可能從濺射室中除去濺出的靶極原子。常用的方法是引入反應氣體，使之與濺出的靶極原子反應生成揮發性氣體，通過...
4.4.1高密度等離子體化學氣相沉積工藝 4.4.2O3TEOS的亞常壓化學氣相沉積工藝 4.5超低介電常數薄膜 4.5.1前言 4.5.2RCdelay對器件運算速度的影響 4.5.3k為2.7~3.0的低介電常數材料 4.5.4k為2.5的超低介電常數材料 4.5.5刻蝕停止層與銅阻擋層介電常數材料 參考文獻 第5章應力工程 5.1簡介...
薄膜材料與表面技術研究室具備較為完善的研究平台，研究室現擁有真空鍍膜系統10餘套（其中化學氣相沉積系統8套、物理氣相沉積3套），高溫高壓氣壓浸滲系統2套，超高真空場發射測試系統1套，百級潔淨室與風淋室1間，CHI660E電化學工作站2台，藍電電池測試系統2套，等離子刻蝕系統、高分辨光學顯微鏡、鹽霧腐蝕試驗機、...
高密度等離子體增強化學氣相沉積設備 SI500D 30 納米中心所級服務中心 高速冷凍離心機 Auanti J-26XP 31 納米中心所級服務中心 高效液相色譜儀器 Waters 626 32 納米中心所級服務中心 高效液相色譜儀器 Waters 2796 33 納米加工技術實驗室 光譜橢偏儀 SE 850 DUV 34 納米加工技術實驗室 矽刻蝕高密度電漿刻蝕機...
擴散、離子注入、化學機械拋光（CMOS）、鍵合、澆鑄和衝壓等；結構部分包括了自對準結構、等離子體刻蝕結構、濕法刻蝕的矽結構、犧牲層結構和沉積的結構；工藝集成部分包括了互補金屬氧化物半導體（CMOS）電晶體製造、雙極技術、多層金屬化和微機電系統（MEMS）等；設備部分包括了熱工藝、真空和電漿、化學氣相沉積和...
主要開展了以下研究：採用分子束外延（MBE）技術製備出了公稱尺寸小於10nm的線寬樣板（線寬分別為2nm、4nm、6nm和8nm）和節距樣板（節距為3nm）、採用等離子體刻蝕（ICP）方法製備出了100nm的納米單台階、採用聚焦離子束（FIB）製備出了50+50nm的納米雙台階樣板、採用原子層沉積（ALD）方法製備出了8nm、18nm和...
我國光伏設備企業已全面具備太陽能電池製造整線裝備能力，2010年時部分產品如擴散爐、 等離子刻蝕機等開始少量出口，可提供10種太陽能電池大生產線設備中的8種，其中有6種(擴散爐、等離子刻蝕機、清洗/制絨機、石英管清洗機、低溫烘乾爐)已在國內生產線占據主導地位，2種(管式PECVD、快速燒結爐)和進口設備並存但份額...
1982年起從事電子迴旋共振（ECR）等離子體產生、約束、穩定及其套用的研究工作，先後主持和參加了多項國家自然科學基金和中科院重點等有關課題，套用ECR電漿沉積出高質量的高溫超導膜，氧化鋅膜，氮化矽膜，二氧化矽膜等。1994年主持研製出高水平的深亞微米刻蝕實驗裝置，獲國家專利、中科院科技進步二等獎。1998年主持...
實驗室以廈門大學半導體光子學研究中心為基礎，擁有MOCVD、MBE-SPM、雙室UHV-CVD等先進的半導體材料生長系統，高精度光學鍍膜機、等離子體刻蝕機、擴散系統、LPCVD低壓化學氣相沉積系統、磁控濺射鍍膜機等半導體工藝設備，雙晶X射線衍射儀、橢圓光譜偏振儀、掃描探針顯微鏡、顯微紫外光測試系統、半導體參數測試儀、LED綜合...
電漿加工技術已得到較多的套用，例如電漿CVD、低溫電漿PBD以及電漿和離子束刻蝕等。電漿多用於氧化物塗層、等離子刻蝕方面，在製備高純碳化物和氮化物粉體上也有一定套用。而電漿的另一個很有潛力的套用領域是在陶瓷材料的燒結方面[1]。產成電漿的方法包括加熱、放電和光激勵等。放電產生的...
（2）用於薄膜材料沉積的新型等離子體源。如微波ECR電漿沉積系統；雙頻RF-CCP/ICP沉積系統；並列式天線大面積電漿源等。（3）薄膜沉積和刻蝕過程和機理研究。如放電電漿中的各種反應基團的行為和分布；薄膜沉積，團蔟、納米顆粒的形成機理；器壁對基團和材料合成的效應等。實驗室-設備 經過近10年的建設和...
