反應離子束薄膜沉積設備

反應離子束薄膜沉積設備是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2011年9月30日啟用。

基本介紹

• 中文名：反應離子束薄膜沉積設備
• 產地：美國
• 學科領域：工程與技術科學基礎學科
• 啟用日期：2011年9月30日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

極限真空10^-8torr,工件盤轉速0~20RPM可調,6英寸範圍內的濺射均勻性優於 /-1.5%,樣品加熱溫度300度，濺射和刻蝕雙離子源。

主要功能

專用於鍍制氧化釩薄膜，支持反應濺射沉積，同時具有離子束刻蝕功能.。