《C60半導體薄膜的簇團離子束沉積製備和離子摻雜》是依託武漢大學，由范湘軍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：C60半導體薄膜的簇團離子束沉積製備和離子摻雜
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：范湘軍
- 依託單位：武漢大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：F0401
- 研究期限：1994-01-01 至 1996-12-31
- 批准號：69376009
- 支持經費：6.5（萬元）
項目摘要
探索了C60的製備和提純工藝，採用一種高效提純新方法，得到99.5%以上純度的C60粉末。研製了一台簇團離子束沉積設備，製備了C60薄膜，用多種分析手段研究了不同成膜條件下製備樣品的成分和結構，在多種基片上得到品質良好的C60多晶膜。用多種離子轟擊C60膜，揭示了C60分子在低能低劑量離子注入過程中的穩定性。用P（+）離子注入C60膜，原位測量了薄膜電阻隨注入劑量以及溫度的變化關係，實現了對C60膜的選擇性摻雜。將未注入和P（+）注入C60膜分別與Si組成異質結構並封裝成二級管，測量Ⅰ-Ⅴ曲線，研究其整流特性和光電回響特性，用能帶理論進行了分析和解釋。研究表明：C60膜與Si（111）單晶片可構成較為理想的異質結，為C60在半導體器件中的套用提供了實驗依據。
