高真空掃描電鏡是一種用於紡織科學技術領域的分析儀器,於2008年11月7日啟用。
基本介紹
- 中文名:高真空掃描電鏡
- 產地:日本
- 學科領域:紡織科學技術
- 啟用日期:2008年11月7日
- 所屬類別:分析儀器
高真空掃描電鏡是一種用於紡織科學技術領域的分析儀器,於2008年11月7日啟用。
高真空掃描電鏡是一種用於紡織科學技術領域的分析儀器,於2008年11月7日啟用。技術指標電子槍真空度1.0×10-5Pa。1主要功能鑑定樣品的表面結構。1...
高真空分析型掃描電子顯微鏡 高真空分析型掃描電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2012年10月31日啟用。技術指標 電鏡解析度3.5nm;能譜解析度139ev。主要功能 二次電子像,背散射像,成分分析。
高低真空掃描電鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2003年8月1日啟用。技術指標 高真空模式解析度: 3.0nm @ 30KV WD=8mm;低真空模式解析度: 4.0nm @ 30KV WD=5mm 放大倍數: ×5~×300,000。主要功能 高靈敏度半導體式反射電子檢測器是不需拿出放入操作的類型,可獲得構成圖像、凹凸圖像和立體圖像。適用...
高低真空掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、冶金工程技術領域的分析儀器,於2005年5月20日啟用。技術指標 高真空模式解析度:3.0nm;低真空模式解析度:4.0nm;放大倍數:×5_×300,000;探測器:二次電子探測器、高靈敏度半導體探測器;圖像種類:二次電子像、背散射電子像(成分像、拓撲像、立體像)。主要功能...
高低真空掃描分析電子顯微鏡 高低真空掃描分析電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器,於2005年8月15日啟用。技術指標 高真空解析度:3.0nm in SEI、4.0nm in BEI;低真空解析度:4.0nm in BEI;放大倍數:x8-x300000;加速電壓:0.5~30kV;放大倍數誤差:8%。主要功能 納微觀測和分析。
掃描電鏡—能譜儀 掃描電鏡—能譜儀是產於日本的一種電子光學儀器,於2002年11月1日啟用。技術指標 解析度高,高真空模式:3.0nm,低真空模式:4.5nm,儀器可提供低電壓下高質量的圖象,有利於實現樣品極表層的觀察。服務內容 各種材料的表面形貌觀察和成分分析。
環境掃描電鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2014年3月19日啟用。技術指標 解析度:高真空模式:3.0nm(SE,30kV),4.0nm(BSE,30kV),8.0nm(SE,3kV) 低真空模式:3.0nm(SE,30kV),4.0nm(BSE,30kV) 環境真空模式:3.0nm(SE,30kV)。主要功能 主要用於各種固體材料的顯微形貌分析和...
環境掃描電子顯微鏡,是指掃描電子顯微鏡的一個重要分支,環境掃描電子顯微鏡除了像普通掃描電鏡的樣品室和鏡筒內設為高真空,檢驗導電導熱或經導電處理的乾燥固體樣品以外,還可以作為低真空掃描電鏡直接檢測非導電導熱樣品,無需進行處理,但是低真空狀態下只能獲得背散射電子像。環境掃描電鏡樣品室內的氣壓可大於水在常溫...
高分辨掃描電鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2008年12月26日啟用。技術指標 高真空-0.8nmat30kV(STEM)-1.2nmat30kV(SE)-2.5nmat30kV(BSE)-3.0nmat1kV(SE)低真空-1.5nmat30kV(SE)-2.5nmat30kV(BSE)-3.0nmat3kV(SE)□加速電壓:200V–30kV□電流:upto100nAGENESIS...
掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學、紡織科學技術領域的分析儀器,於2016年10月28日啟用。技術指標 放大倍數:5-300000倍;解析度:高真空:3nm(30KV)/8nm(3KV)/15nm(1KV) 低真空:4.0nm(30KV) ;電子槍:全自動,亦可手動調整;樣品台:大全對中型X=80mm,Y=40mm,Z=5到48mm,傾斜:-10 - +90度,...
掃描電鏡/聚焦離子束電鏡系統是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2012年10月22日啟用。技術指標 1.工作模式:高真空、低真空、環掃共三種模式;2.放大倍數:30倍—128萬倍;3.解析度:電子束1.2nm(工作電壓30kV);離子束5nm;4.加速電壓:0.2Kv—30Kv;探針電流:電子束可持續調節,...
高溫高壓原位掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2019年11月6日啟用。技術指標 解析度: 高真空模式優於1.5nm(30kV),4nm(1kV) 低真空模式優於1.8nm(15kV)。主要功能 該儀器包含場發射掃描電鏡主機,以及離子濺射儀和電製冷能譜儀等附屬檔案。主要觀察各種材料的微觀形貌和通過能譜分析成分。
掃描電子顯微鏡及電子能譜儀是一種用於材料科學、礦山工程技術、冶金工程技術領域的分析儀器,於2015年5月8日啟用。技術指標 掃描電鏡設備主要技術參數:1、解析度:二次電子(SE)像解析度在高真空時:30kV時優於3.0nm,3kV時優於10.0nm;背散射電子(BSE)像解析度(VPwithBSD),30kV時優於4.0nm。2、放大...
超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2005年2月1日啟用。技術指標 型號:Sirion 200 加速電壓:200V-30KV; 解析度:10KV,1.5nm;1KV,2.5nm;EDAX 能譜儀:133eV,Be-U。 熱場發射電子槍,配能譜儀,可用於各種固體材料的表面形貌分析與測量;用於材料的化學成份及相關成份分析。主要功能 熱...
掃描電鏡成像過程與電視成像過程有很多相似之處,而與透射電鏡的成像原理完全不同。透射電鏡是利用成像電磁透鏡一次成像,而掃描電鏡的成像則不需要成象透鏡,其圖象是按一定時間、空間順序逐點形成並在鏡體外顯像管上顯示。二次電子成象是使用掃描電鏡所獲得的各種圖象中套用最廣泛,分辨本領最高的一種圖象。我們以二...
可變真空掃描電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2011年4月20日啟用。技術指標 1、解析度:二次電子探測器3.0nm(30kV),15.0nm(1kV),背散射電子探測器4.0nm(30kV)2、放大倍數5~300000倍,自動修正放大;3、真空度:高真空≤10-4Pa;4、能譜分析:SDD探測器,在60000CPS條件下解析度...
,EDX分析 WD(10mm)。主要功能 1.提高電子顯微鏡在低加速電壓和低真空下的解析度。 2.SU3500掃描電鏡在加速電壓為3kV時,二次電子圖像解析度達7nm;先進的3D技術以及非常便利的可視化操作,使SU3500成為目前全球最高端的鎢燈絲掃描電鏡。 3.實現了實時立體成像的“實時立體觀察功能”。
所有的先進分析技術集成於一體: TEM、HR-TEM、STEM、HR-STEM、電子衍射、EFTEM、EDS和EELS頻譜圖、全息技術和Lorentz透鏡技術、三維重構技術、低劑量曝光技術、冷凍電鏡技術 3、多用戶環境下的方便和安全操作 掃描電鏡功能及套用範圍: 掃描電鏡可在高真空、低真空和環境真空條件下對各種樣品進行觀察和分析,所有真空...
聚焦離子束掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2012年11月1日啟用。技術指標 場發射(FE-SEM)部分: #11; 解析度:高真空:1.2nm at 30kV#11; 放大倍數:2x~1,000,000x #11; 真空系統:高真空:樣品室<9x10-3Pa,槍體真空<1x10-6Pa #11; 加速電壓:0.5kV to 30KV#11; 電子束電流:2pA~...
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv;1.8nm @ 1kv;0.8nm @ 30kv(stem探測器);低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器);1.8nm @ 3kv(helix探測器);2. 加速電壓 200v - 30kv,連續可調;...
場發射環境掃描電鏡及能譜儀是一種用於材料科學、土木建築工程、水利工程、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 分高真空、高真空下減速模式、低真空、環境真空模式,最高解析度≤1.0nm。 最大放大倍數不得少於X800000,二次電子檢測器,樣品台尺寸XY水平方向0~50mm,豎向Z不得少於30mm。主要...
掃描電鏡低真空測量是一種用於材料科學學科領域的長度計量儀器,於2006年12月1日啟用。技術指標 掃描電子顯微鏡與能譜聯用,最大放大倍數300000,高真空與低真空作業系統。主要功能 掃描電鏡(SEM)是介於透射電鏡和光學顯微鏡之間的一種微觀性貌觀察手段,可直接利用樣品表面材料的物質性能進行微觀成像。掃描電鏡的優點...
超高解析度場發掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年6月28日啟用。技術指標 新研發的冷場電子槍·利用電子槍轟擊後的高亮度穩定期,高分辨觀察和分析兼顧·大幅提高解析度(1.1nm/1kV、0.8nm/15kV)·減輕污染的高真空樣品倉·通過頂部過濾器(選配項)實現多種材料對比度可視化。主要功能 形貌觀察。
儀器類別: 0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡 指標信息: 二次電子成像,背散射成像,陰極螢光成像;解析度:高真空:30KV時,為1.5nm; 1KV時,為3nm; X射線能譜分析:元素分析範圍B-U;高性能陰極螢光:具有對特定波長光譜分析與成像(指定波長光譜面分布)的能力,...
熱場發射環境掃描電鏡是一種用於物理學、化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 Quanta 400 FEG場發射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一,具有靈活先進的自動化作業系統。具有三種成像真空模式--高真空模式、低真空模式和ESEMTM模式,可以觀察分析各種類型的樣品。它可以對處理...
掃描電鏡飛行時間二次離子質譜聯用儀是一種用於化學、物理學、材料科學領域的分析儀器,於2018年10月15日啟用。技術指標 電子槍最大束流:400nA/高真空解析度:0.7nm @ 15kV (SE),1.2nm @ 1kV (BSE),0.8nm @ 30kV (STEM)/離子槍最大束流:50nA/離子槍解析度:在SEM-FIB重合點位置上,優於2.5nm ...
第四代 Phenom Pro 是一款使用高亮度 CeB6 燈絲的高解析度台式掃描電鏡。觀察納米或者亞微米樣品的微觀結構,放大倍數要求可達130,000 倍。基於新一代高亮度 CeB6 燈絲和全新的聚焦系統,Phenom Pro的解析度輕鬆達到 14 nm,同時具有全自動操作、15 秒快速抽真空、不噴金觀看絕緣體、2-3 年更換燈絲等特點。 產品...
鎢燈絲掃描電鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2015年12月31日啟用。技術指標 掃描電鏡解析度:高真空二次電子像小於3.0nm(30KV) 掃描電鏡放大倍數:5×~1000000×,連續可調 能譜儀解析度:MnKα峰的半高寬優於127eV; 能譜儀元素測試範圍:Be4— Pu94。主要功能 微觀形貌分析、微區成分分析(能譜法)...
聚焦離子束掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、物理學、航空、航天科學技術領域的分析儀器,於2013年10月21日啟用。技術指標 SEM 解析度:高真空:3.0nm(30kV);10nm(3kV) 低真空:4.0nm(30kV) 放大倍數: 5-300,000 加速電壓:0.3-30kV多種步進調壓方式 FIB 1 主要參數: (加速電壓 40 kV) ...
而燈絲更換需專業人士上門服務,收費較高,而且場發射掃描電子顯微鏡燈絲的價格也較高,冷場約2000美元,熱場約8000美元。所以在日常使用過程中,需正確使用並注意燈絲的維護。檢查真空系統 電鏡中的真空系統一般由真空泵、管道、真空閥門和真空測量裝置組成。高真空度可減少電子與氣體分子的碰撞,增加燈絲壽命,所以必須...