超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2007年07月21日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。技術指標1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv;1.8nm @ 1kv;0.8nm @ 30kv(stem探測器)...
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
掃描電子顯微鏡(SEM)是一種介於透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品,通過光束與物質間的相互作用,來激發各種物理信息,對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。
高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
SUPRA 40是一款高分辨率場發射掃描電子顯微鏡,擁有第三代GEMINI 鏡筒,可變壓強性能加上多種納米工具的使用,不用花費大量時間,使高解析度成像和非導體樣本的分析成為可能,超大的樣品室適合各種類型探頭及配件的選擇。該場發射電鏡適用於...
場發射掃描電子顯微鏡1530VP是一種用於地球科學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2006年1月7日啟用。技術指標 電子槍: 熱場發射 加速電壓: 100V~30kV 放大倍數: 20×~900,000× 解析度:1.0nm(20kV);2.5...
熱場發射電子顯微鏡 熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。技術指標 1.0 nm @ 20 kV @ WD = 2 mm, 0.1 - 30 kV。主要功能 材料組織形貌,微區成分。
超高發射掃描顯微鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2016年9月1日啟用。技術指標 辨率:1.0nm (15 kV); 1.4nm(1 kV, WD = 1.5mm, 減速模式);2.0nm(1 kV, WD = 1.5mm, 普通模式) 放大倍數:30倍-800,000倍 ;...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
場發射掃描電子顯微鏡 場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
高分辨場發射掃描電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2015年9月24日啟用。技術指標 解析度: 二次電子(SE)像,高真空模式:15 kV時1.0 nm,1 k V時優於1.4 nm(非減速模式),低真空模式:30 kV時1.8nm...
這時陰極發射的機理和一般場發射不同,稱電漿場發射,蘇聯稱之為爆發電子發射。隨著六十年代末期掃描電子顯微鏡和表面物理分析儀器的蓬勃發展,要求有高亮度,細小直徑的電子束。尖端場發射陰極接近一個點源,電流密度大,電子初速零散小...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...
S-4800是目前場發射掃描電子顯微鏡中的高端產品,該電鏡在高加速電壓下的二次電子像解析度為1 nm。在低加速電壓和減速條件下,S-4800可以觀察絕緣或導電性差的樣品。該電鏡配有X射線能譜儀,可以在觀察樣品表面微觀形貌的同時進行微區...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高分辨率成...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度:標配提供17種非隔行電子束掃描速度,從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;...
超高分辨率掃描電子顯微鏡是專門為現今技術研究和發展設計的超高解析度儀器。產品介紹 冷場發射掃描電子顯微鏡m213451是專門為現今技術研究和發展設計的超高解析度儀器。獨特之處在於使用複合檢測器允許同時顯示二次電子和背散射電子成像。可以...
樣品置於超高真空中(~10Pa),並作為陰極。在陽極正電壓所造成的電場(約10⁷V /cm)中,針尖發射電子電子飛向螢光屏發射電流I取決於電場強度F及發射表面的功函式ρ 。放大倍數可達10⁶,分辨能為約為1nm。套用場電子顯微鏡可觀察...
高分辨率肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有:解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度(二次電子):30kV下1.2nm,3kV下2.5...