超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高分辨場發射掃描電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學
- 啟用日期:2014年9月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器,於2017年11月17日啟用。技術指標 1.加速電壓:0.1kV - 30kV 2.解析度:0.8nm(15kV) 3.放大倍率:20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀:X-MAX,檢測元素範圍...
超高解析度掃描電子顯微鏡是專門為現今技術研究和發展設計的超高解析度儀器。產品介紹 冷場發射掃描電子顯微鏡m213451是專門為現今技術研究和發展設計的超高解析度儀器。獨特之處在於使用複合檢測器允許同時顯示二次電子和背散射電子成像。可以以...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍:12X-2000000X,連續可調,加速電壓範圍:20V-30KV,0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器,於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物:種子、花粉、細菌…… ⑵醫學:血球、病毒…… ⑶動物:大腸、絨毛、細胞、纖維...
場發射電子掃描顯微鏡 場發射電子掃描顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2006年11月13日啟用。技術指標 冷場高分辨,帶EDS。主要功能 形貌分析,元素分析。
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力,尤其是採用最新數位化圖像處理技術,提供高倍數、高分辨掃描...
高分辨場發射掃描電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2015年9月24日啟用。技術指標 解析度: 二次電子(SE)像,高真空模式:15 kV時1.0 nm,1 k V時優於1.4 nm(非減速模式),低真空模式:30 kV時1.8nm...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;...
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子分辨率:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...
超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察...
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子分辨率 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高分辨率熱場發射...
2021年,全數位化掃描電子顯微鏡新品在無錫惠山發布。類型 掃描電子顯微鏡類型多樣,不同類型的掃描電子顯微鏡存在性能上的差異。根據電子槍種類可分為三種:場發射電子槍、鎢絲槍和六硼化鑭。其中,場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為...
場發射掃描電子顯微鏡JSM-7600F是一種用於化學領域的分析儀器,於2012年1月12日啟用。技術指標 磁懸浮分子泵系統、五軸馬達驅動全對中樣品台、全自動樣品更換氣鎖和樣品監控系統解析度:1.0nmat15kV;1.5nmat1kV放大倍數:25-100萬倍...
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子分辨率:15KV時優於0.8nm;1KV時優於1.1nm;電子槍真空:優於2*10-8;電子束流條件範圍:5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高分辨率成...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
,用於研究小於10 nm的顆粒形態、結構特徵,拍攝晶格像)選區電子衍射晶體結構分析,SAED (Selected Area Electronic Diffraction)模式的單晶衍射、多晶衍射,電子探針元素分析,X射線能譜EDX(Energy Dispersion X-ray Spectrum),掃描透射...
2022年末,發布國內首款自主研發——極高分(Extreme High Resolution,XHR)場發射掃描電子顯微鏡FE-2050X,它將具備全電壓段亞納米(≤1.0nm)極致分辨能力,媲美進口掃描電鏡頂端產品,極大縮短我國與國際先進技術的技術差距。發展歷程 ...