超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器,於2017年11月17日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高分辨場發射電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:化學工程
- 啟用日期:2017年11月17日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器,於2017年11月17日啟用。
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金...
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高分辨率成...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子分辨率≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍:12X-2000000X,連續可調,加速電壓範圍:20V-30KV,0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
場發射掃描電子顯微鏡 場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在...
高分辨率顯微鏡 高解析度顯微鏡是一種用於基礎醫學、化學、生物學領域的分析儀器,於2015年12月11日啟用。技術指標 可用於活細胞實驗,含螢光、透射光路,60x物鏡。主要功能 高分辨態分析。
超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察...
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子分辨率 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高分辨率熱場發射...
高解析度場發射掃描電鏡 高分辨率場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度:1.0nm(加速電壓15KV);2nm(加速電壓1KV)。主要功能 形貌觀察、微區分析。
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子分辨率:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用...
1932年Ruska發明了以電子束為光源的透射電子顯微鏡,電子束的波長要比可見光和紫外光短得多,並且電子束的波長與發射電子束的電壓平方根成反比,也就是說電壓越高波長越短。TEM的分辨力可達0.2nm。簡介 電子顯微鏡與光學顯微鏡的成像...
高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80,100,120,160,200 kV 點解析度:0.194 nm 線解析度:0.14 nm 放大倍數:1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
樣品置於超高真空中(~10Pa),並作為陰極。在陽極正電壓所造成的電場(約10⁷V /cm)中,針尖發射電子電子飛向螢光屏發射電流I取決於電場強度F及發射表面的功函式ρ 。放大倍數可達10⁶,分辨能為約為1nm。套用場電子顯微鏡可觀察...
再用圖像處理技術,例如電子晶體學處理方法,已能從一張200kV的JEM-2010F場發射電鏡(點分辨本領0.194nm)拍攝的解析度約0.2nm的照片上獲取超高分辨率結構信息,成功地測定出解析度約0.1nm的晶體結構。2.像差校正電子顯微鏡電子顯微鏡的...
天津理工大學-FEI聯合實驗室、公共測試平台等多個科研平台,擁有球差校正透射電子顯微鏡、高分辨場發射透射電子顯微鏡、超高分辨場發射掃描電子顯微鏡、聚焦離子束、X-射線光電子能譜儀、單晶與粉末X-射線衍射儀、電子順磁共振波譜儀、核磁...
配備大量先進的科研教學儀器設備,如高分辨場發射電子顯微鏡、場發射掃面電子顯微鏡、熱模擬試驗機等分析測試設備,以及大功率雷射焊接系統、半導體表面雷射處理系統、高溫熔煉設備、大型壓力裝置等材料製備及製造設備,滿足了專業教學和科學研究...
1964年4月1日,中國科學院為了在受雷射發射新興領域方面迅速趕上國際水平,決定將長春光機所和北京電子所從事受雷射及微波發射研究的有關力量集中,在上海成立中國科學院光學精密機械研究所上海分所。1964年5月7日,第五次院務常務會議...
在半導體分析測試方面,擁有Bede D1光衍射儀器、SSM—350擴展電阻儀,傅立葉紅外光譜儀、CM200型超高分辨透射電子顯微鏡、Hitachi S4800場發射掃描電鏡、Edinburgh FLS920 螢光光譜測量系統和HL5500半導體材料霍爾參數測試儀等大型測試設備。研...