FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高解析度熱場發射...
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度：1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數：25-100萬倍加速電壓：0.1KV-30KV 束流強度：10-13-2x10-9。主要附屬檔案：牛津儀器INCA ...
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器，於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料，不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
Titan Krios G3是FEI公司新一代300kV場發射冷凍透射電鏡，加速電壓 80-300 kV，配有場發射電子槍（X-FEG）及三級聚光鏡系統；Autoloader自動進樣系統可一次性裝載儲12個冷凍樣品；自動液氮灌注系統可長時間自。
FEI 掃描電子顯微鏡 (SEM) 以精確聚焦的電子束掃描樣品表面，然後藉助各種探測器檢測電子束-樣品相互作用結果，以此生成圖像。 FEI SEM既可工作於高真空也可工作於低真空模式，既可使用提供表面信息的的二次電子探測器也可使用提供成分信...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B（5）-- U（92）。主要功能 本儀器具有高的解析度，...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡技術指標 編輯 播報 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2.放大倍率:20-2,000,000倍, 根據加速電壓和工作距離的改變,放大倍數自動...
Helios Nanolab G3 UC 是目前世界上非常先進的用於細胞、組織等生物樣品成像的掃描雙束電子顯微鏡：（1）具有Dual Beam—場發射掃描電子雙束（SEM）和聚焦離子束（Focused Ion Beam, FIB）：藉助Dual Beam，FEI AutoSlicerViewer軟體可...
