冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2011年5月1日啟用。
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B（5）-- U（92）。主要功能 本儀器具有高的解析度，...
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度：1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數：25-100萬倍加速電壓：0.1KV-30KV 束流強度：10-13-2x10-9。主要附屬檔案：牛津儀器INCA ...
冷場發射電子顯微鏡 冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器，於2012年8月21日啟用。技術指標 加速電壓：0.1~30kV 觀測倍率：20~800000倍。主要功能 形貌觀察；能譜分析；明場暗場像。
根據電子槍種類可分為三種：場發射電子槍、鎢絲槍和六硼化鑭。其中，場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為冷場發射掃描電子顯微鏡和熱場發射掃描電子顯微鏡。冷場發射掃描電子顯微鏡對真空條件要求高，束流不穩定，發射體使用壽命短，...
場發射掃描電子顯微鏡（FESEM）是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度，能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理，在鍍膜或不鍍膜的基礎上，低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm；環境真空：30KV優於2.0nm；對樣品...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器，於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度：二次電子（SE）像，高真空模式：15kV時≤1.0 nm；1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2007年9月28日啟用。技術指標 解析度二次電子(SE)成像：高真空模式：30kV時 1.2 nm；1kV時 3.0nm 低真空模式：30kV時 1.5 nm；3kV時 3.0nm ESEM？環境真空模式: 30kV時...
場發射掃描電鏡 SUPRA 40/40VP是解析度為1.0nm @ 20KV，放大倍數為12 - 900,000x的機器。場發射掃描電鏡 SUPRA 40是一款高解析度場發射掃描電子顯微鏡，擁有第三代GEMINI 鏡筒，可變壓強性能加上多種納米工具的使用，不用花費大量...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器，於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm，30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能，配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
場發射掃描電子顯微鏡1530VP是一種用於地球科學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2006年1月7日啟用。技術指標 電子槍: 熱場發射 加速電壓: 100V~30kV 放大倍數: 20×~900,000× 解析度：1.0nm（20kV）；2.5...
於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡，配備聚光鏡球差校正系統，能譜分析，STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析；結合EDS，可做元素的線掃、面掃描分析。
這時陰極發射的機理和一般場發射不同，稱電漿場發射，蘇聯稱之為爆發電子發射。隨著六十年代末期掃描電子顯微鏡和表面物理分析儀器的蓬勃發展，要求有高亮度，細小直徑的電子束。尖端場發射陰極接近一個點源，電流密度大，電子初速零散小...
目前掃描電子顯微鏡的最主要組合分析功能有: X 射線顯微分析系統（即能譜儀, EDS）， 主要用於元素的定性和定量分析， 並可分析樣品微區的化學成分等信息； 電子背散射系統 （即結晶學分析系統）， 主要用於晶體和礦物的研究。
電子顯微鏡按結構和用途可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、反射式電子顯微鏡和發射式電子顯微鏡等。透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構；掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌，也能與X射線...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓：1-15KV，放大倍數：120000-220000倍，二次電子解析度：1.4nm（1kV，減速模式），1.0nm（15kV）；。主要功能 金...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
碳基薄膜材料可以作為冷陰極電子源套用於真空微納電子器件、微波器件、X光管，以及掃描電子顯微鏡、掃描隧道顯微鏡、感測器等現代探測儀器中；此外，碳基薄膜冷陰極用於場發射平板顯示器（FED）也是人們關注和期盼的套用目標之一。冷陰極場發射...
0.10nm；信息解析度≤0.15nm。主要功能 可對金屬、無機非金屬材料、陶瓷材料和各種納米材料進行透射電子顯微像，高分辨像，電子衍射，掃描透射分析，能譜微區點、線和面的元素成分分析。對樣品進行能量過濾像和能量損失譜分析。
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器，於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA，SEM解析度1.1nm@20kv，FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像，HRTEM晶格像；選區電子衍射花樣SED，STEM（HAADF）掃描透射像，微區成分分析（點、線、面） 點...
掃描電子顯微鏡S-570（Scanning Electron Microscope (SEM)）離子減薄儀691（Precision Ion Polishing System (PIPS)）儀器化落錘衝擊試驗機 高頻疲勞試驗機 冷場發射掃描電子顯微鏡S-4700 潤濕角測量儀 原子力掃描探針顯微鏡 電子探針X射線...
6.5 掃描電子顯微鏡技術發展 199 6.5.1 掃描電子顯微鏡的小型化 199 6.5.2 低電壓下的高分辨和不導電樣品的直接觀察 200 6.5.3 冷場發射掃描電子顯微鏡電子槍束流不穩定、束流小的解決方案 201 6.5.4 高解析度的熱場發射...
現有設備資產超過6000萬元，價值100萬元以上的大型精密儀器有18台套，主要設備有：三維原子探針(3DAP)、熱場發射透射電子顯微鏡(JEM-2010F)、超低溫超高真空掃描隧道顯微鏡，冷場發射掃描電子顯微鏡(JSM-6700F)、核磁共振波譜儀 (AVANCE ...
安徽大學現代實驗技術中心創建於1987年，是利用世界銀行貸款建成的高校分析測試中心之一。目前，中心擁有200KV高分辨透射電子顯微鏡、高分辨分析型冷場發射式掃描電鏡、元素分析儀、傅立葉變換紅外光譜儀、400兆赫超導傅立葉變換核磁共振波譜儀...
第12章 場發射掃描電子顯微鏡 195 12.1 儀器結構和原理 195 12.2 日立S4800冷場發射掃描電鏡簡介 197 12.3 樣品製備和上機準備 197 12.4 日立S4800冷場發射掃描電鏡操作規程 201 12.5 譜圖質量分析 208 12.6 常見故障及分析...
掃描電子顯微鏡方面主要有：分析掃描電鏡和X射線能譜儀、X射線波譜儀和電子探針儀、場發射槍掃描電鏡和低壓掃描電鏡、超大試樣室掃描電鏡、環境掃描電鏡、掃描電聲顯微鏡、測長/缺陷檢測掃描電鏡、晶體學取向成像掃描電子顯微術和計算機控制...
